文档介绍：⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯最新资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组 编童诗白 华成英 主编自测题与****题解答山东大学物理与微电子学院1⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯最新资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥1262⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯最新资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用 “×”和“√”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×)(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。(√)(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。(×)二、选择正确答案填入空内。(l)PN结加正向电压时,空间电荷区将A。(2)稳压管的稳压区是其工作在C。(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。、、、后者也正偏(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C。、,设二极管导通电压UD=。:UO1=, UO2=0V, UO3=-, UO4=2V, UO5=, UO6=-2V。四、已知稳压管的稳压值 UZ=6V,稳定电流的最小值 IZmin=5mA。⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯最新资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯中UO1和UO2各为多少伏。(a) (b):左图中稳压管工作在击穿状态,故 UO1=6V。右图中稳压管没有击穿,故 UO2=5V。五、,VCC=15V, =100,UBE=。试问:Rb=50k时,Uo=?若T临界饱和,则Rb=?解:(1)IBVBBUBE26A,,ICRc2V。,IBSICS/(2)∵ICSRc∴、测得某放大电路中三个 MOS管的三个电极的电位如 ,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14-513恒流区T2-43310截止区T3-4605可变电阻区4⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯最新资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型 MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如 。。在本征半导体中加入(A)元素可形成N型半导体,加入(C)元素可形成P型半导体。 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 (A)。 ,如果当IB从12uA增大到22uA时,IC从lmA变为2mA,那么它的 β约为(C)。(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将(A)。;;,已知ui10sint(V),试画出ui与uo的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 :。,已知ui 5sin t(V),二极管导通电压 UD=。试画出ui与uo的波形图,并标出幅值。5⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯最新资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 解图P1