文档介绍：电子设备中的抗 ESD 设计规则在电子产品设计中必须遵循抗静电释放的设计规则,本文介绍静电释放(ESD) 产生的原理,以及机箱、屏蔽层、接地、布线设计等诸多设计规则,它们有助于预防并解决静电释放产生的危害,值得中国电子设备设计工程师认真研究和学****许多产品设计工程师通常在产品进入到生产环节时才着手考虑抗静电释放(ESD) 的问题。如果电子设备不能通过抗静电释放测试,他们就会加班加点找寻不破坏原有设计的解决方案。然而,最终的方案通常都要采用昂贵的元器件,还要在制造过程中采用手工装配,甚至需要重新设计,因此,产品的进度势必受到影响。即使对经验丰富的工程师和设计工程师,也可能并不知道设计中的哪些部分有利于抗 ESD 。大多数电子设备在生命期内 99% 的时间都处于一个充满 ESD 的环境之中, ESD 可能来自人体、家具、甚至设备自身内部。电子设备完全遭受 ESD 损毁比较少见,然而 ESD 干扰却很常见,它会导致设备锁死、复位、数据丢失和不可靠。其结果可能是:在寒冷干燥的冬季电子设备经常出现故障现象,但是维修时又显示正常,这样势必影响用户对电子设备及其制造商的信心。 ESD 产生的机理要防止 ESD ,首先必须知道 ESD 是什么以及 ESD 进入电子设备的过程。一个充电的导体接近另一个导体时,就有可能发生 ESD 。首先,两个导体之间会建立一个很强的电场,产生由电场引起的击穿。两个导体之间的电压超过它们之间空气和绝缘介质的击穿电压时,就会产生电弧。在到 10ns 的时间里,电弧电流会达到几十安培,有时甚至会超过 100 安培。电弧将一直维持直到两个导体接触短路或者电流低到不能维持电弧为止。 ESD 的产生取决于物体的起始电压、电阻、电感和寄生电容: 可能产生电弧的实例有人体、带电器件和机器。可能产生尖峰电弧的实例有手或金属物体。可能产生同极性或者极性变化的多个电弧的实例有家具。 ESD 可以通过五种耦合途径进入电子设备: 初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离 ES D 电弧 100mm 处产生高达 4000V/m 的高压。电弧注入的电荷/ 电流可以产生以下的损坏和故障: a. 穿透元器件内部薄的绝缘层,损毁 MOSFE T和 CMO S 元器件的栅极(常见)。 b. CMOS 器件中的触发器锁死(常见)。 PN 结(常见)。 PN结(少见)。 e. 熔化有源器件内部的焊接线或铝线(少见)。电流会导致导体上产生电压脉冲(V=L × dI/dt) , 这些导体可能是电源、地或信号线,这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件( 常见)。电弧会产生一个频率范围在 1MHz 到 500MHz 的强磁场, 并感性耦合到临近的每一个布线环路,在离 ESD 电弧 100mm 远的地方产生高达 15A/m 的电流。电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上,这些信号线起到接收天线的作用(少见)。 ESD 会通过各种各样的耦合途径找到设备的薄弱点。 ESD 频率范围宽,不仅仅是一些离散的频点,它甚至可以进入窄带电路中。为了防止 ESD 干扰和损毁,必须隔离这些路径或者加强设备的抗 ESD 能力。表 1描述了对可能出现的 ESD 的防范措施以及发挥作用的场合。防患于未然塑料机箱、空气空间和绝缘体可以屏蔽射向电子设