文档介绍：《半导体材料》小论文SiC半导体材料和工艺的发展状况学院: 大数据与信息工程学院专业: 物理电子学姓名: 学号: 2014021522 教师: 肖清泉 2014年12月25日SiC半导体材料和工艺的发展状况王凯贵州人学人数据信息工程学院摘要:碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺朵、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。关键词:碳化硅器件;器件工艺;半导体材料Abstract:SiCisakindofwide-bandsemiconductormaterialthatissuitableforproducinghighvoltage,,thepropertyofSiCispresentedandtheresentevolutionoftheSiCdeviceprocessisintroducedindetail,includingdoping,etching,・Keywords:SiCdevice;process;semiconductormaterial使用硅器件的传统集成电路人都只能工作在250°C以下,不能满足高温、高功率及高频等要求。冃前,人们已将注意力转移到SiC材料最成熟的宽禁带半导体材料(210eVWEgW710eV)。SiC具有独特的物理性质和电学性质,是实现高温与高功率、高频、抗辐射相结合器件的理想材料。随着6H、4H-SiC体材料的相继商品化,SiC器件T艺,如氧化、掺杂、刻蚀及金属・半导体接触,都日渐成熟,这些为SiC器件的研制及应用奠定了基础。1SiC材料的结构与特性SiC的基本结构单元是Si・C四面体,属于密堆积结构。由单向堆积方式的不同产生各种不同的品型,业已发现约200种。密堆积有3种不同的位置,记为A,B,C。依赖于堆积顺序,SiC键表现出立方闪锌矿或六方纤锌矿结构。如堆积顺序为ABC'ABC-,则得到立方闪锌矿结构,记作3c-SiC或SiC(c二cubic)。若堆积顺序为AB'AB…,则得到纯六方结构,记为2H-SiC(H=hexagonal)o其它多型体为以上两种堆积方式的混合。两种最常见的六方品型是4H和6H。其堆积方式分别为ABCB,ABCB-和ABCACB'ABCACB-,女fl图1所示。(a) (b) • (c)图1几种常见的SiC密堆积结构不同的SiC多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC的这一特点可以制作SiC不同多型体间品格完全匹配的异质复合结构和超品格,从而获得性能极佳的器件。SiC具有非常高的热稳定性和化学稳定性。在任何合理的温度下,其体内的杂质扩散都几乎不存在山。室温下,它能抵抗任何己知的酸性蚀刻剂,