文档介绍：电路模拟实验专题实验文档一、简介本实验专题基于SPICE(SimulationProgramWithIntegratedCircuit )仿真模拟,讲授电路模拟的方法和 spice仿真工具的使用。SPICE仿真器有很多版本,比如商用的 PSPICE、HSPICE、SPECTRE、ELDO,免费版本的WinSPICE,SpiceOPUS等等,其中HSPICE和SPECTRE功能更为强大,在集成电路设计中使用得更为广泛。因此本实验专题以 HSPICE和SPECTRE作为主要的仿真工具,进行电路模拟方法和技巧的训练。参加本实验专题的人员应具备集成电路设计基础、器件模型等相关知识。二、 Spice基本知识(2)无论哪种spice仿真器,使用的spice语法或语句是一致的或相似的,差别只是在于形式上的不同而已,基本的原理和框架是一致的。因此这里简单介绍一下 spice的基本框架,详细的spice语法可参照相关的spice教材或相应仿真器的说明文档。首先看一个简单的例子,采用spice模拟MOS管的输出特性,对一个NMOS管进行输入输出特性直流扫描。Vgs从1V变化到3V,;Vds从0V变化到5V,;输出以Vgs为参量、Id与Vds之间关系波形图。*OutputCharacteristicsforNMOSM12100MNMOSw=5ul=-I(vds).probe*==110U+LAMBDA===,图2-1MOS管输入输入特性仿真电路图得到的仿真波形图如下图。mH —vdeJEtor-atLchsweep V从这个简单的spice程序中可以知道spice电路描述的主要组成部分。标题和电路结束语句在输入的电路描述语句中输入的第一条语句必须是标题语句,最后一条必须是结束语J标题句。在本例中,*,包括元器件、激励源、器件模型等描述,另外,如果电路是层次化的, 即包含子电路,电路描述部分还包括子电路描述 (.subckt)。在描述元器件时,要根据类型,采用不同的关键字作为元件名的第一个字母, 元器件关键字见下表。如本例中, NMOS管的描述为:M12100MNMOSw=5ul=:元器件关键字xDGSB模型名宽=xx长=xx其中D:漏结点;G:栅结点;S:源结点;B:衬底结点。器件模型描述电路中所使用的器件的 spice模型参数,。如在本例中,.MODELMNMOSNMOSVTO==110U+LAMBDA===,以便在元器件调用时使用, NMOS为模型的关键字。元器件类型元器件关键字电阻R电容C电感L二极管DNPN或PNP双极型晶体管QN沟或P沟结型场效应晶体管JN型或P型MOS场效应晶体管MGaAs场效应晶体管B电压控制开关S电流控制开关W互感K激励源说明供激励用的独立源和受控源,比如: V:独立电压源;I:独立电流源;E:电压控制电压源; F:电流控制电流源;G:电压控制电流源; H:电流控制电压源,(3) 分析类型描述语句分析类型描述语句说明对电路进行何种分析。比如,直流工作点 (.op),直流扫描分析(.de),交流分析(.ac),噪声分析(.noise),瞬态分析(.tran)等等。(4) 控制选项描述语句控制选项用于描述spice仿真时的相关控制选项,,另外还有打印及输出控制选项(.print、.plot、.probe)等等现将整个spice程序例子标注如下:*OutputCharacteristicsforNMOSM12100MNMOSw=5ul=(模型名为MNMOS的场效应MOS管M1,漏结点2、栅结点1、源结点0、衬底结点0,栅宽5um,栅长1um)J激励源描述(连接在1和0结点之间的1V独立电压源)J激励源描述(连接在2和0结点之间的5V独立电压源)J分析类型描述,直流工作点分析J分析类型描述,直流扫描分析(Vgs从1V变化到3V,;.plotde-l(vds).probe*==110UMNMOS+LAMBDA===