文档介绍：第八章存储器与可编程逻辑器件在本章中,我们将讨论半导体存储器和可编程逻辑器件的原理、结构及应用。在半导体存储器中我们将介绍随机读写存储器(RAM)、只读存储器(ROM)。在可编程逻辑器件(简称PLD)部分,讨论可编程只读存储器(PROM)、可编程逻辑阵列(PLA)、可编程阵列逻辑(PAL)、通用阵列逻辑(GAL)等。半导体存储器和可编程逻辑器件在实际工程中有着广泛的应用。——用以存储一系列二进制数码的逻辑器件。根据使用功能的不同,半导体存储器可分为随机存读写储器(RAM—essMemory)和只读存储器(ROM—Read-Onlymemory)。正是因为有了存储器,计算机才有了对信息的记忆功能。本节将首先讨论半导体随机存取(读写)存储器。RAM既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据,其缺点是数据的易失性,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。、地址译码器、片选与读写控制电路、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。。存储矩阵是RAM的核心,它由排列成矩阵形式的许多存储单元组成,每个存储单元存放一位二进制信息0或1。通常若干位(如m位)构成一个字,每个字具有一个唯一对应的地址。也就是说,一个RAM是由若干个字和位组成的。(如2n字×m位)。地址译码器用于实现对RAM存储矩阵中字单元的选择,即地址选择。它根据输入的地址代码译出字选择线,使得连接在该条字选择线上的单元(字),通过读/写控制电路与输入/输出端接通,然后对这些单元进行读/写操作。读/写控制。在访问RAM时,对被选中的寄存器,究竟是读还是写,是通过读/写控制线进行控制。如果是读,则被选中单元存储的数据经数据线、输入/输出线传送给CPU;如果是写,则CPU将数据经过输入/输出线、数据线存入被选中单元。一般RAM的读/写控制线高电平为读,低电平为写;也有的RAM读/写控制线是分开的,一条为读,另一条为写。片选控制。由于受RAM的集成度限制,一台计算机的存储器系统往往是由许多片RAM组合而成。CPU访问存储器时,一次只能访问RAM中的某一片(或几片),即存储器中只有一片(或几片)RAM中的一个地址接受CPU访问,与其交换信息。当某一片的片选线接入有效电平时,该片被选中。。根据存储机理的不同,RAM可分为静态RAM和动态RAM两类;而按所用元件类型又可分为双极型和MOS型两种,因此存储单元电路形式多种多样。(T1~T6)组成的静态MOS存储元。T1与T2构成一个反相器,T3与T4构成另一个反相器,两个反相器的输入与输出交叉连接,构成基本触发器,作为数据存储单元。T1导通、T3截止为0状态,T3导通、T1截止为1状态。T5、T6及T7、T8是门控管,作为电子模拟电子开关使用,由地址选择线Xi和Yj控制其导通或截止。用来控制触发器输出端与数据线及I/O之间的连接状态。Xi、Yj线均为1时,才能对它进行读写操作。