文档介绍：模电100个知识点总结1•在常温下,硅二极管的门槛电压约为_,导通后在较大电流下的正向压降约为锗二极管的门槛电压约为,导通后在较大电流下的正向压降约为。2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻o5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。6PN结反向偏置时,PN结的内电场_增强°PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为伏;其门坎电压Vth约为伏o8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为_空穴_、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为—电子一空穴对二。10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(巳半导体和电子(N)半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的_最大整流电流和反映反向特性的_反向击穿电压_。12、在常温下,硅二极管的开启电压约为二V,导通后在较大电流下的正向压降约为_V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 输出随频率连续变化的稳态响应_。15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、_乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路_电容,影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的B增加,贝UIBQ增大,ICQ增大,UCeQ减小。19、三极管的三个工作区域是—截止饱和,放大。集成运算放大器是一种采用—直接|_耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 W=,Vb=,Vc=,试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000 。22、三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va=-1V,Vb=,V==,这是管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a 。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为: 阻容(RC耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合_能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载 ,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kQ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kQ026、为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结正向偏置,集电结反向偏置。②对于NPN型三极管,应使VbcV0 027、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC耦合、直接耦合和变压器耦合