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上传人:endfrs 2016/4/12 文件大小:0 KB

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文档介绍

文档介绍:第四章厚膜基础 1主要内容?厚膜基片材料?流延工艺?厚膜导体材料 2 ?厚膜混合微电路是依赖于材料的一种电子元器件封装方法,它是介于组装常规电子元器件的 PCB 板和单片集成电路之间的一种电路封装手段。?厚膜混合电路中使用的电阻和导体膜层材料-- --由悬浮在有机结合剂中的颗粒状的金属、金属氧化物及玻璃粉末的混合物构成。?介质浆料---由悬浮在有机结合剂中的诸如金属氧化物、半导体材料和玻璃粉材料这类绝缘材料的混合物构成。 3 厚膜基片—无源材料( 机械基底和绝缘作用) 理想的厚膜基片: 稳定的物理特性、高的热导率、低的电导率及好的热稳定性(承受 850 ℃高温和 55 ℃低温的工作循环要求),成本低廉,易大量获得。重要参数:介质损耗离子迁移和空间电荷极化是陶瓷材料介质损耗的两大原因。 4 基片材料厚膜材料通常用氧化铝、氧化铍、氧化镁、二氧化钍、氧化锆或这些材料的组合的陶瓷材料生产。陶瓷:与硅接近的匹配的热膨胀系数,较高的热导率,更好的尺寸稳定性,电气特性好。氧化铝:含 4%-6% 玻璃的氧化铝氧化铍:大功率应用领域,潜在的致癌和有毒物质氮化铝:新型陶瓷材料。滑石:介电常数低。 5 特殊材料:在低碳钢基片上覆盖一层电子级釉料。难点:釉料是一种低碱含量的玻璃料,在高温中会产生问题。缺点:高频时有耦合到不锈钢基片上的电容。 6 物理特性表面光洁度: 电阻精度和印刷膜层的附着力依赖于此。定义:中心线平均值( CLA ),意味着在波峰和波谷之间设定中心线,是在表面剖面曲线测量偏差的算术平均值。 CLA= ( A+B+C+D ) /L A、B、C、D代表中心上面或下面的面积, L是基片选定的长度。 7 翘曲度或平坦度定义:在基片上从一端到另一端弯曲度的总合基片形状和通孔加工 8 基片制造?干粉工艺: ?条件:基片厚度大于 () ? P107 图 制造工艺流程?优点:允许制造长/宽比相对高的基片。 9 流延工艺: 基片厚度小于 () ? 10