文档介绍：关于对有关LED优化设计资料的总LED发展概论:优化LED的意义:优化LED的原理四:目前LED优化设计所取得的成果五:未来展望LED的发展概论90年代,四远系ALGaInP/GaAs晶格匹配材料的使用,使得LED的发光效果提高几十流明、瓦。美国惠普公司利用倒金字塔管芯结构设计的红光LED发光效率达100lm/W。·近年来,LED有了很大的突破。以致在过去几年中,白光LED引起LED产业界和学术界的广泛重视,日本日亚公司利用蓝光LED激发黄粉和红粉得到白光LED,发光效率达到60lm/W。美国Gree公司利用SC衬底生长的GaN的白光LED发光效率达到了70m。同时功力型白光LED的封装也被厂商所重视,而美国的Lumileds公司的进展最为迅速,他们已经使用fip-chip工艺研制出了4组1*1mm蓝光芯片用黄粉封装的LED灯,1400mA电流下的光通量达到了187lm优化LED的意义利用各种原理对LED进行优化设计,能充分提高了芯片的出光效率,能够为生产提供一定的理论指导。利用电极优化或者光子晶体等来改善器件GaNLED电流的扩展特性,提高电流分布的均匀性,减少电流的聚集效应,实现提高芯片的出光效率和转化效率,提高器件的光电效应,提升产品的性能。三:优化LED可以提高光输出强度,使资源的利用率更高。优化LED的原理基本概念:LED在理想情况下,每注入个电子便会发出一个光在实际情况第由于内部损耗造成,注入的电子并不能全部转化为光子,而产生的光子也不能全部从LED中出,这便引出一个量子效率的问题。注入有源层的电子并不一定全部用来产生的光子,于是产生了内量子效率(Internalquantumefficiency),通常定义为从LED有源层产生的光子数与LED的注入电子数的比值,其表达式可以用式1-1表示。n=种人有源层射出来的光子数B(a1其中Pint。表示有源层产生的光功率,而,表示注入电流。有源层产生的光子在理想情况下,将全部射向自由空间,但由于存在内部Fresnel反射以及重吸收作用(如电极和衬底),使得产生的光并不能全部射出,这时所产生的效率为提取效率(Extractionefficiency),定义式为(1-2)。每秒钟辐射到自由空间的光子个数P(hv)(2)nmsn-每秒钟从有源层辐射出来的光子个数P/hy)P表示射向自由空间的光功率。提取效率通常是ED出光效率最大的限制。外量子效率则定义为射向自由空间的光子数与注入的电子数的比值。即内量子效率和提取效率的乘积,定义式为(13)每秒钟辐射到自由空间的光子个数P/(h注入LED的电子个数(1-3)l/e另外通常所说的出光效率()定义为·目前,由于MOCVD外延生长技术和多量子阱结构(MQW的引入,使LED的内量子超过80%,提高的空间不大,反而在提取效率方面,主要由于内部反射的原因,提取效率一直非常低,成为遏制外量子效率不能提高的主要原因,下面就重点阐述导致提取效率低下的主要原因,以及前内外的一些改善方法。目前LED优化设计取得的成果LED形状的设计在芯片形状设计上,科研人员设计了各式各样的形状以提高出光,最为典型的是长方体形和圆柱形,如图1-1所示。TogescapeSideescapeopcapeSideescapeSubsumE1-1LED芯片不同的几何形状寄