1 / 124
文档名称:

钛酸铜钙基高介电陶瓷材料和钛酸钡压电陶瓷材料物性研究.pdf

格式:pdf   页数:124
下载后只包含 1 个 PDF 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

钛酸铜钙基高介电陶瓷材料和钛酸钡压电陶瓷材料物性研究.pdf

上传人:2982835315 2014/5/28 文件大小:0 KB

下载得到文件列表

钛酸铜钙基高介电陶瓷材料和钛酸钡压电陶瓷材料物性研究.pdf

文档介绍

文档介绍:山东大学
博士学位论文
钛酸铜钙基高介电陶瓷材料和钛酸钡压电陶瓷材料的物性研究
姓名:邵守福
申请学位级别:博士
专业:凝聚态物理
指导教师:张家良
20090314
1
2
摘要陶瓷是历史上最早发现的一种多晶压电材料,在甁镜热擞介电材料和压电材料是两类重要的功能电子材料。介电材料是一类利用材滤波器、存储器等重要电子器件方面。随着近年电子器件向高性能化和尺寸微型化方向的发展,高介电材料受到越来越多的关注。压电材料是实现机械能与大量的含铅氧化物作为原料,在生产、使用及废弃后处理过程中都会给人类及现实意义的课题。在述背景下,本论文主要丌展了钛酸铜钙,性及相关机理的研究。的应用。所以,寻找出一种既可以保持陶瓷材料所具有高介电常数的优料的介电性质来制造电容性器件的电子材料,被广泛应用在电容器、谐振器、电能相互转换的一类功能材料,在传感器、驱动器、超声换能器、蜂鸣器、电子点火器等各种电子元件和器件方面有着广泛的应用。目前使用的压电材料主要是锆钛酸铅,简称基陶瓷材料。但闹票感枰J褂生态环境带来严重影响,发展无铅环境协调性压电陶瓷是一项紧迫且具有重大简称呓榈缣沾刹牧虾皖阉岜压电陶瓷材料的制备、物是一种具有钙钛矿型衍生结构的氧化物,不论是单晶形态还是多晶陶瓷形态都呈现异常高的介电常数。室温下,低频介电常数很大、基本上不依存于频率,而且在很宽的温度区域内几乎不随温度变化。对于高介电性的起源,有人认为起源于材料内在的晶格结构,也有人认为起因于内部阻挡层电容效应,还有人归结为与样品电极有关的耗尽层,因此在机制解释方面存在着很大的争议。另一方面,通常制备的陶瓷的介电损耗很大,在实际应用中会导致信号衰减、器件或电路的发热而工作不稳定,不利于作为电子材料点又能显著地降低介电损耗的有效方法是一个重要的课题。年发明霸还惴旱挠τ谩R訠;宓奶沾刹牧纤淙荒壳仍被广泛地用于制造各种电容器和缱璧龋魑Q沟缣沾刹牧系挠τ靡很少见,主要的一个原因是由于通常制备的基陶瓷材料的压电活性太低/。值得关注的是,最近日本研究者们相继报道了以水热合成山东大学博士学位论文
3
织结构。利用一个由串联的三组元件鏑⑽鳦蚏组成的等效得到的⒎畚T稀⒉捎梅浅9婕际微波烧结、分段烧结或模板晶铅压电材料应用的潜能进行重新思考。为研究对象。考察了烧结条件、元素化学计量比以及掺杂改性对基陶瓷微观组织结构、晶体结构、介电以及复阻抗方面的电学性质的影响,探讨了相关的高介电性微观机理。考察了制备工艺条件对陶瓷的压电性能、介电性质、微观组织结构和电畴构型的影响,探讨了相关的压电物性微观机理。一、研究了不同烧结条件下制备的一系列陶瓷的微观结构以及介电和复阻抗方面的电学性质,发现陶瓷的微观结构随烧结条件的变化有很型Я=闲。ǔ叽绶植冀暇、嘈两种不同尺寸的晶粒共存虲其微观组织结构有着密切的关联性。室温下,低频介电常数实部随微观组织结构中的晶粒尺寸的增大而增大,频率高于慕榈绯J氖挡吭虺氏旨剧下降的变化,介电常数的虚部相应地呈现出一个介电峰,表现出一种类德拜型弛豫性的色散。高温下,不同微观组织结构类型的陶瓷所呈现的电学性质表观上有较大的差异,但存在着一些共通的特征,即介电频谱呈现出一个低频介电响应和两个类德拜型弛豫色散、。电路模型解释了介电谱和复阻抗谱的实验结果,这三组元件分别代表着来自微观组织结构中的晶畴、晶界以及晶粒内部缺陷的贡献。二、⒐圩橹峁褂电学性质的影响。实验发现缺损腃沾傻奈⒐圩橹峁怪陶瓷的微观组织结构中有两种不同的晶粒共存、晶粒尺寸相差数十倍。低频下粒生长工艺票赋隽艘值分别达到和的陶瓷材料的结果。从压电活性方面讲,这些结果启示人们需要对基陶瓷作为无本论文以传统固相反应法制备的基高介电陶瓷和压电陶瓷大的变化。根据陶瓷的微观组织结构形态,可以将制备的陶瓷分为类型Я3叽绾艽蠖曳植冀衔>三种类型。陶瓷的高介电性与实验上观测到的陶瓷的电学性质可以归结于陶瓷内部多晶形态的微观组的晶粒尺寸较小而分布比较均匀,未偏离虲的的介电常数与元素的计量比有着很密切的联系。与腃沾上啾山东大学博士学位论文
4
方法。所研制的表观组分为筁蚴虺艭奶沾刹牧显维持了陶瓷材料的介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优烧结温度条件下制备出了具有较强压电活性的陶瓷,室温下测得的其压较,的陶瓷的介电常数均有不同程度的降低,同时晶粒电阻也均有一定程度的增大。我们利用上述的一个由三组元件串联组成的等效电路模型解释了介电谱和复阻抗谱的实验数据。通过对实验现象的分析,我们认为在晶界周围析出的允椅孪碌牡推到榈绯J途Я5缱栌凶藕艽蟮挠跋臁三、对如何降低陶瓷材料的介电损耗进行了探索,发明了以少量的对化学组分式中的元素进行部分替代而显著降低介电损耗的改性点的同时,介电损耗