文档介绍：电池片生产工艺步骤
一、制绒
在硅片表面形成坑凹状表面，降低电池片反射太阳光，增加二次反射面积。通常情况下，用碱处理是为了得到金字塔状绒面；用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面，全部能够提升硅片陷光作用。
，硅和单纯HF、HNO3（硅表面会被钝化，二氧化硅和HNO3不反应）认为是不反应。但在两种混合酸体系中，硅则能够和溶液进行连续反应。
硅氧化
硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（关键是亚硝酸将硅氧化）
Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应)
3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O (慢反应)
二氧化氮、一氧化氮和水反应，生成亚硝酸，亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅。
2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应)
Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O (快反应)（第一步主反应）
4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)
只要有少许二氧化氮生成，就会和水反应变成亚硝酸，只要少许一氧化氮生成，就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸，亚硝酸会很快将硅氧化，生成一氧化氮，一氧化氮又和硝酸、水反应，这么一系列化学反应最终结果是造成硅表面被快速氧化，硝酸被还原成氮氧化物。
二氧化硅溶解
SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是气体)
SiF4+2HF=H2SiF6
总反应
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
最终反应掉硅以氟硅酸形式进入溶液。
（氢氧化钠/氢氧化钾），腐蚀掉硅片经酸液腐蚀后多孔硅
、HCl冲洗，中和碱液，如不清洗硅片表面残留碱液，在烘干后硅片表面会有结晶
，洗掉酸液
制绒后面相对于未制绒面来说比较暗淡
奥特斯维电池厂采取RENA设备。
二、扩散
提供P-N结，POCl3是现在磷扩散用得较多一个杂质源。POCl3液态源扩散方法含有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。
POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式以下：
但在有外来O2存在情况下，PCl5会深入分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式以下：
在有氧气存在时，POCl3热分解反应式为：
生成P2O5在扩散温度下和硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式以下：
由此可见，在磷扩散时，为了促进POCl3充足分解和避免PCl5对硅片表面腐蚀作用，必需在通氮气同时通入一定流量氧气 。
POCl3分解产生P2O5淀积在硅片表面，P2O5和硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。
SEVEVSTAR扩散设备。
三、刻蚀去边
因为在扩散过程中，即使采取背靠背单面扩散方法，硅片全部表面(包含边缘)全