文档介绍：电力电子技术复****题 1
第 1 章电力电子器件
1、电力电子器件一般工作在 __开关 __状态。
2、在通常情况下 , 电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __, 而当器件开关频
率较高时 , 功率损耗主要为 __开关损耗 __。
3、电力电子器件组成得系统 , 一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _ 主电路 _三
部分组成 , 由于电路中存在电压与电流得过冲 , 往往需添加 _保护电路 __。
4、按内部电子与空穴两种载流子参与导电得情况 , 电力电子器件可分为 _单极型
器件 _ 、 _ 双极型器件 _ 、_复合型器件 _三类。
5、电力二极管得工作特性可概括为 _承受正向电压导通 , 承受反相电压截止 _。
6、电力二极管得主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _ 肖特基二极管 _。
7、肖特基二极管得开关损耗 _小于 _快恢复二极管得开关损耗。
8、晶闸管得基本工作特性可概括为 __ 正向电压门极有触发则导通、反向电压则
截止 __ 。
9、对同一晶闸管 , 维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于 __IH 。
10、晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo 数值大小上应为 ,UDSM_大于
__Ubo。
11、逆导晶闸管就是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _( 如何连接 ) 在同一管芯上得功
率集成器件。
12、GTO得__多元集成 __结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。
13、MOSFET得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR共发射极接法时得输出特性中
得三个区域有对应关系 , 其中前者得截止区对应后者得 _截止区 _、前者得饱与区
对应后者得 __放大区 __、前者得非饱与区对应后者得 _饱与区 __。
14、电力 MOSFET得通态电阻具有 __正__温度系数。
15、IGBT 得开启电压 UGE(th)随温度升高而 _略有下降 __, 开关速度 __小于 __电
力 MOSFET。
16、按照驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质 , 可将电力电子
器件分为 _电压驱动型 _与_电流驱动型 _两类。
17、IGBT得通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数 , 在
1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。
18、在如下器件 : 电力二极管 (Power Diode) 、晶闸管 (SCR)、门极可关断晶闸管
(GTO)、电力晶体管 (GTR)、电力场效应管 ( 电力 MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管
(IGBT) 中, 属于不可控器件得就是 _电力二极管 __, 属于半控型器件得就是 __晶闸
管_, 属于全控型器件得就是 _ GTO 、GTR 、电力 MOSFET、 IGBT _; 属于单极型
电力电子器件得有 _电力 MOSFET _,属于双极型器件得有 _电力二极管、晶闸管、
GTO、 GTR_, 属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _; 在可控得器件中 , 容量最
大得就是 _晶闸管 _, 工作频率最高得就是 _电力 MOSFET,属于电压驱动得就是电
力 MOSFET、 IGBT