文档介绍：西安电子科技大学硕士学位论文高阻缓冲层与高迁移率鵋牧仙ぱ芯导师:张进成教授年作者:王昊学科:微电子学与固体电子学中国西安
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本人签名:螫至黑本学位论文属于保密在一年解密后适用本授权书。创新性声明关于论文使用授权的说明包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。C艿穆畚脑本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做本人签名:日期本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部解密后遵守此规定导师签名:
摘要以4淼牡谌宽禁带氲继宀牧弦蚱浣矶却蟆⒒鞔┏∏扛摺热导率高、耐腐蚀和抗辐照等优势,特别是熘式峁咕哂懈呙芏群透咔ㄒ坡的二维电子气,被誉为是研制微波功率器件的理想材料。近年来,随着外延技术的不断进步,庋硬牧系慕峋е柿恳仓鸩教嵘由掀骷圃旃ひ盏牟欢铣熘式峁共问挠呕侍庖埠苎现亍K嵌加肫骷ぷ魈匦韵⑾⑾喙亍种情况,一种是聚集有极高浓度载流子的掩埋电荷层,另一种是分布在整个缓冲层中的背景载流子。在通过采用优化条件的成核层生长后,实现了况下,牧匣岜菊骷し⒊龃罅康谋尘暗缱樱硗猓ぷ髟诟赫ぱ瓜碌腉基器件沟道中二维电子也会大量溢出至撼宀阒校舛蓟嵫现赜跋能级陷阱来束缚住这些背景载流子,以保证骷诠ぷ魇被撼宀闳匀晃8其次,本文通过分析牧现写嬖诘亩嘀稚⑸浠贫怨档蓝缱邮湓颂再次,牧献魑R恢旨园氲继宀牧希档乐卸缱佑胧评莶阌Ρ涑受逆压电效应的作用,存有应力的骷诟咂构ぷ魇比菀椎贾挛薹ㄐ薷吹熟,疓器件性能不断提高。不过仍然存在一些关键问题制约器件性能与可靠性,如撼宀懵┑缥侍夂妥罴岩熘式峁刮侍狻缓冲层漏电直接使得器件的夹断特性变差,器件击穿电压不高,将严重降低器件的功率特性;本文首先从撼宀阒性又史植佳芯砍龇ⅲ治鋈衔;撼宀懵┑缈煞治A将衬底中氧杂质的扩散抑制在了成核岛中,并且背景载流子浓度也控制在了考丁H欢珿基微波功率器件工作时结温一般超过谡庵智撼宀愕母咦杼匦浴U馐保枰Mü柿康腇粼釉贕缓冲层中形成深阻态。性的影响,认为在鵋骷9ぷ鞯那榭鱿拢跋ㄒ坡实主要散射机制为合金无序散射、界面粗糙度散射以及位错散射。本文中主要从优化常规的疓异质结构着手来实现更高的沟道迁移率。通过对插入层、评莶阋约癎帽层的优化,分析沟道浓度与迁移率的函数关系,来降低由合金无序散射和界面粗糙度散射对迁移率的限制作用,并最终实现器件性能的提升。度直接相关。而庋硬阒胁辛舸罅坑ακ倍云骷某て诳煽啃允羌2焕模损伤。最后,从成本以及材料的利用率来讲,牧媳厝换嵯蜃糯笾本痘姆较发展,通过对自主研发的系统结构的改进,成功的实现了在蓝宝石和碳化硅衬底上高质量的∧ね庋樱鐾庋悠簿哂薪虾玫木刃裕
基于此缓冲层外延的疓异质结其电特性和均匀性也都能够满足器件制造的需要。关键词:氮化镓掩埋电荷层背景载流子掺杂异质结构残余应力大直径高阻缓冲层与高迁移率鵋牧仙ぱ芯
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