文档介绍：硅基半导体上氧化锌薄膜的研究硕士学位论文陈玉辉分类号论文答辩日期学位授予日期二二鱼
新签名:泳降‘月肜日论文作者签名:陈五船论文作者签名:铢五彤函时发布苣只广西大学学位论文原创性声明和使用授权说明学位论文使用授权说明原创性声明本人声明:所呈交的学位论文是在导师指导下完成的,研究工作所取得的成果和相关知识产权属广西大学所有,本人保证不以其它单位为第一署名单位发表或使用本论文的研究内容。除已注明部分外,论文中不包含其他人已经发表过的研究成果,也不包含本人为获得其它学位而使用过的内容。对本文的研究工作提供过重要帮助的个人和集体,均已在论文中明确说明并致谢。本人完全了解广西大学关于收集、保存、使用学位论文的规定,即:按照学校要求提交学位论文的印刷本和电子版本:学校有权保存学位论文的印刷本和电子版,并提供目录检索与阅览服务;学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文;在不以赢利为目的的前提下,学校可以公布论文的部分或全部内容。请选择发布时间:口解密后发布C苈畚男枳⒚鳎⒃诮饷芎笞袷卮斯娑
硅基半导体上氧化锌薄膜的研究摘要采用溶胶凝胶法和脉冲激光沉积法,在晶向为腜型半导体硅片上分别制备了∧ず蚙薄膜,测试了蚙薄膜的光电特性,并采用扫描电子显微镜和正电子湮没技术研究其显微组织、电子密度和微观缺陷,获得的主要实验结果如下:萌芙耗悍ㄔ赑型硅上制备的∧ぃ诠獾恼丈湎拢生了光生伏特效应。猄裟艿绯氐氖涑龅缪顾孀藕愣ü庠吹木嗬氲减小而增大。萌芙耗悍ㄖ票傅腪薄膜的电阻率比∧さ囊P。∧さ牡嫉缧阅鼙萙薄膜好。蒙璧缱酉晕⒕倒鄄觳煌椒ㄖ聘鞯腪薄膜的表面,发现用脉冲激光沉积法制备的∧ぃ琙颗粒较小,薄膜的致密性较好;而溶胶凝胶法制成的∧ぃさ木榷冉喜睢杂诓襞鸬腜型基半导体,随着掺康脑黾樱返缱杪减小,正电子寿命增大。这是由于在偷ゾЧ璋氲继逯锌昭ㄕ贾鞯嫉匚唬掺吭黾樱昭ㄅǘ壬撸缱杪式档汀5亲杂傻缱釉赑型单晶硅半导体中是少数载流子,掺吭黾樱氲继逯械淖杂傻缱优ǘ燃跣。贾半导体中的电子与正电子湮没概率减小,正电子寿命增大。饬咳芙耗悍ㄔ赑型硅片上分别沉积∧ず蚙薄膜的
准号:黃手钅俊×刁蛳Τ鱿忠桓龇澹饕J钦缱佑肱鸬缱愉蚊坏墓毕住4拷正电子寿命谱,发现∧さ恼缱邮倜萙薄膜小。因为膜和∧ざ际粲贜型半导体,这说明∧け萙薄膜中的电子浓度高,导电性好。颗鸬恼缱愉蚊环銬箍砥椎纳唐自诘缱佣课属锌的商谱有一个较高且较宽的峰,主要是正电子与锌的电子湮没的贡献。纯金属铝的商谱较低,铝原子没有电子。襞鸬腜型单晶硅半导体样品的正电子湮没辐射箍砥也出现了硼的电子的信号,随着偷ゾЧ璋氲继逯信鸷康脑黾樱导体的电阻率降低,样品的商谱谱峰升高。冉螾型硅片、用溶胶凝胶法在凸杵戏直鸪粱齔薄膜和∧さ恼缱愉蚊籇展宽谱的商谱,发现凸杵纳唐灼峰最高,∧さ墓杵追宕沃瑉薄膜的硅片谱峰最低。关键词:凸璋氲继錤薄膜∧ふ缱愉蚊患际溶胶凝胶法脉冲激光沉积法本文为国家自然科学基金己牛和广西自然科学基金Ⅱ
籼肌絚毹鷇甌⒌,,,仕Ⅱ
蛐锄血萯瑆ⅱ鴗畂够誦蟯伽琭勺憎琺郿,,頾猼,够耹Ⅳ瓵仃,,瑃甧╥.眦仃&.,寰蒻,.衞琽.,×Ⅳ
锄曲篜一帅锌妇嘶如鏿撕鷄曲誥遫址话祝琾妣,鲫Ⅱ琭仃畂胓瑃瑉狦餺,廿,.籞;;;狦;:..猼.
目录摘要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯蟘甀第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..趸康木褰峁埂氧化锌的应用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..氧化锌透明薄膜⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..趸客该鞅∧∧さ姆椒ā第二章正电子潭没技术原理及测试方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.概述⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.正电子湮没谱学的理论知识⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..正电子湮没技术测量样品的方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯溶胶凝胶法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..∧⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.脉冲激光沉积法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.Ⅵ
.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..扫描电镜观察∧け砻嫘蚊病第四章掺铝氧化锌薄膜的性能研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..掺铝氧化锌∧さ难芯勘尘啊掺铝氧化锌∧さ难芯肯肿础∧さ牡嫉缭碛氲缪Ш凸庋阅堋掺铝氧化锌薄膜的应用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯∧