文档介绍：模电100个知识点总结
1．在常温下，硅二极管门槛电压约为 ，导通后在较大电流下正向压降约为 ；锗二极管门槛电压约为 ，。
2、二极管正向电阻 小 ；反向电阻 大 。
3、二极管最关键特征是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
4、二极管最关键电特征是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管和负载并联，稳压二极管和输入电源之间必需加入一个 电阻 。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续改变电压或电流信号下工作电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结内电场 增强 。PN含有 含有单向导电 特征。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定，且不随电流而改变，经典值为 伏；其门坎电压Vth约为 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子 扩散 运动形成。
9、P型半导体多子为 空穴 、N型半导体多子为 自由电子 、本征半导体载流子为 电子—空穴对 。
10、因掺入杂质性质不一样，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。
11、二极管最关键特征是 单向导电性 ，它两个关键参数是反应正向特征 最大整流电流 和反应反向特征 反向击穿电压 。
12、在常温下，硅二极管开启电压约为 V，导通后在较大电流下正向压降约为 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号情况下， 输出随频率连续改变稳态响应
。
15、N型半导体中多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。
16、按一个周期内一只三极管导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基础类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大是 结 电容。
18、在NPN三极管组成基础共射放大电路中，假如电路其它参数不变，三极管β增加，则IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 减小 。
19、三极管三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一个采取 直接 耦合方法放大电路。
20、某放大电路中三极管，在工作状态中测得它管脚电压Va = ， Vb = , Vc = , 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型三极管，该管集电极是a、b、c中 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总对数增益为 80 dB，总电压放大倍数为 10000 。
22、 三极管实现放大作用外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-, Vc =-, 这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。
23、三种不一样耦合方法放大