文档介绍：名词解释：
MEMS：其英文全称为Micro-Electro-Mechanical System，是用微电子，即microelectronic技术手段制备微型机械系统。第一个M也代表器件特征尺寸为微米量级，假如是纳米量级，对应M这个词头就有nano来替换，变为NEMS，纳机电。MEMS及NEMS是在微电子技术基础上发展起来，融合了硅微加工、LIGA技术等多个精密机械微加工方法，用于制作微型梁、隔膜、凹槽、孔、反射镜、密封洞、锥、针尖、弹簧及所组成复杂机械结构。（点击）它继承了微电子技术中光刻、掺杂、薄膜沉积等加工工艺，进而发展出刻蚀、牺牲层技术、键合、LIGA、纳米压印、甚至包含最新3D打印技术
SOI: SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。经过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料含有了体硅所无法比拟优点：能够实现集成电路中元器件介质隔离，根本消除了体硅CMOS电路中寄生闩锁效应；采取这种材料制成集成电路还含有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及尤其适适用于低压低功耗电路等优势，所以能够说SOI将有可能成为深亚微米低压、低功耗集成电路主流技术。
SOC:SOC-System on Chip，高级MEMS是集微型传感器、微型实施器和信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体微型器件或系统，这么系统也称为SOC，即在一个芯片上实现传感、信号处理、直至运动反馈整个过程。
LIGA:LIGA是德文光刻、电镀和模铸三个词缩写。它是在一个导电基板上旋涂厚光刻胶，然后利用x射线曝光，显影后形成光刻胶模具，再用电镀方法在模具空腔中生长金属，脱模后形成金属微结构。特点：该工艺最显著特点是高深宽比，若用于加工一个细长杆，杆直径只有1微米，而高度可达500微米，深宽比大于500，这是其它技术无法比拟。其次，它还含有材料广泛特点，可加工金属、陶瓷、聚合物和玻璃。但传统LIGA采取x射线曝光工艺极其昂贵，多年来采取SU-8光刻胶替换PMMA光刻胶，紫外曝光替换x射线曝光准LIGA技术取得了更广泛发展和应用。
DRIE:反应离子深刻蚀（Deep RIE）。干法刻蚀经典工艺是DRIE深槽刻蚀。刻蚀分为两步，第一步，通入SF6刻蚀气体进行反应离子刻蚀，刻蚀是各向同性，即槽底不仅要被刻蚀，槽壁也会被刻蚀。假如就一直这么刻下去，刻蚀图形和掩模定义图形将完全不一样，极难控制微结构尺寸。处理此问题方法是分步刻蚀，逐次推进。在刻蚀进行10多秒钟转入第二步，快速地将刻蚀气体切换成保护气体C4F8，C4F8在等离子作用下进行聚合，生成类似于特***龙这种不粘锅材料，沉积在槽底和槽壁上。10多秒钟后，又切换成SF6刻蚀气体，等离子体中正离子在电场加速作用下只轰击槽底，而不怎么轰击槽壁，优先将槽底聚合物保护膜打掉，暴露出硅片表面，从而使得化学刻蚀反应能够再次进行。刻蚀时，因为槽壁上仍然保留有保护膜，而不会被刻蚀。反复这么刻蚀-保护过程，就能在硅片上刻蚀出垂直深槽。深槽在宏观上垂直度能达成88-92
°，但微观上其侧壁是有多段小弧形连接而成。干法刻蚀不再象湿法腐蚀那样需要晶向对准，所以能够制备出齿轮、弹簧等复杂图形。
多项选择题
第一章、
1、MEMS器件尺寸范围是：（1）
（1）从1um到1mm （2）从1nm到1um （3）从1mm到1cm
3、微系统部件“深宽比”被定义为（1）之比
（1）高度方向尺寸和表面方向尺寸（2）表面方向尺寸和高度方向尺寸（3）宽度方向尺寸和长度方向尺寸
4、现在为止，商品化最好MEMS器件是（2）
（1）压力传感器  (2)喷墨打印头（3）加速度传感器
第二章、
1、在曝光后被溶解光刻胶是（1）
（1）正胶（2）负胶（3）正胶或负胶
2、光刻中用正胶将造成效果（3）
（1）愈加好（2）更劣（3）和应用负胶相同
常见光刻中光源波长范围是：（2）
（1）100-300nm （2）300-500nm （3）500-700nm
4、MEMS光刻和IC光刻关键区分在于：（1）
（1）MEMS光刻需要在更为不平整表面上进行（2）MEMS光刻线条更细（3）MEMS光刻全部需要双面进行
光刻技术中曝光方法有（1）（2）（3）
（1）靠近式曝光（2）接触式曝光（3）投影式曝光
6、曝光方法中，图形尺寸和掩膜尺寸一致（1）（2）
（1）靠近式曝光（2）接触式曝光（3）投影式曝光
影像光刻线宽最关键原因是（1）
（1）光衍射（2）光干涉（3）光反射
8、剥离法制备图形薄膜