文档介绍：双基极二极管(单结晶体管)结构
双基极二极管又称为单结晶体管, 它结构图1所表示。 在一片高电阻率N型硅片一侧两端各引出一个电极, 分别称为第一基极B1和第二基极B2。 而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结, 在P型硅上引出一个电极, 称为发射极E。 两个基极之间电阻为RBB, 通常在2~15kW之间, RBB通常可分为两段, RBB = RB1+ RB2, RB1是第一基极B1至PN结电阻; RB2是第一基极B2至PN结电阻。 双基极二极管符号见图1右侧。  
                       图1 双基极二极管结构和符号                                                        等效电路                 
                      
双基极二极管工作原理
将双基极二极管按图2(a)接于电路之中, 观察其特征。 首先在两个基极之间加电压UBB, 再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE, UE能够用电位器RP进行调整。 这么该电路能够改画成图2(b)形式, 双基极二极管能够用一个PN结和二个电阻RB1、 RB2组成等效电路替换。  
(a) (b) 
图2 双基极二极管特征测试电路
当基极间加电压UBB时, RB1上分得电压为
式中称为分压比, 和管子结构相关, ～。
  
＝UBB＋UD时, 单结晶体管内在PN结导通, 发射极电流IE忽然增大。 把这个突变点称为峰点P。 对应电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。 显然, 峰点电压
Up＝UBB＋UD
 式中UD为单结晶体管中PN结正向压降, 通常取UD＝。
在单结晶体管中PN结导通以后, 从发射区（P区）向基压（N区）发射了大量空穴型载流子, IE增加很快, E和B1之间变成低阻导通状态, RB1快速减小, 而E和B1之间电压UE也伴随下降。 这一段特征曲线动态电阻为负值, 所以称为负阻区。 而B2电位高于E电位, 空穴型载流子不会向B2运动, 电阻RB2基础上不变。
 当发射极电流IE增大到某一数值时, 电压UE下降到最低点。 特征由线上这一点称为谷点V。 和此点相对应是谷点电压UV和谷点电流IV。 以后, 当调整RP使发射极电流继续增大时, 发射极电压略有上升, 但改变不大。 谷点右边这部分特征称为饱和区。
总而言之, 单结晶体管含有以下特点:
（1）当发射极电压等于峰点电压UP时, 单结晶体管导通。 导通以后, 当发射极电压小于谷点电压UV时, 单结晶体管就恢复截止。
（2）单结晶体管峰点电压UP和外加固定电压UBB及其分压比相关。 而分压比是由管子结构决定, 能够看做常数。
对于分压比不一样管子, 或外加电压UBB数值不一样时, 峰值电压UP也就不一样。
（3）不一样单结晶体管谷点电压UV和谷点电流IV全部不一样。 谷点电压大约在2~5