文档介绍：目录第一章绪论第二章非平衡态格林函数摘要⋯┑闹聘机械剥离法化学氧化法喑恋矸外延生长法渌椒┠擅状┘笆┠擅状哪艽峁引言相互作用绘景嗷プ饔没婢爸胁ê难莼Iせ婢凹捌溆胙Χㄚ袒婢昂拖嗷プ饔没婢暗墓叵平衡态格林函数窳趾亩ㄒ窳趾恼箍非平衡态格林函数非半衡态格林函数在输运问题中的应用缌鞴哈密顿量
第四章石墨烯纳米带边界态研究参考文献发表的论文第三章密度泛函理论致谢论文独创性声明∞”弛—∞∞引玛∞弭引言小节日录
摘要和型,两者之间的电子结构有着显著地不同此外简单介绍了石墨烯纳本文主要介绍了型石墨烯纳米带的电学性质,着重研究了边界态对于其输运性质的影响全文总共分为三个部分:第一部分介绍了石墨烯和石墨烯纳米带的研究的现状分为三个章节第诩虻ソ樯芰耸└趴觯┭着不同的角度切割可以制各得到石墨烯纳米带,第诮樯芰耸┑闹票福且对其电子结构,尤其是能带结构进行了计算;第诓捎媒羰拷贫杂诘缱结构进行了研究,,第一节主要介绍了研究纳米体系电子结构的密度泛函原理;第二节介绍了处理分子器件输运性质的方法非平衡态格林函数方法第三节简单介绍了基于密度泛函原理和非平衡态格林函数方法的量子计算软件,可以很好的处理两端体系的输运性质不仅如此,对于孤立的分子以及周期性的晶体或者是芷谛越峁苟伎梢越械缱咏峁辜扑阈枰V出的是扯处理准维或者芷谔逑档氖焙蛐枰A舫稣婺悖蛭0兀捍碚庵结构的时候,嵩诿挥兄芷诘奈壬闲楣钩鲆桓鲋芷冢婵昭略谡庖晃壬阻隔着币同周期元胞的相互作用还有计算中涉及到的物理量给出了计算公式,此外,在对于型石墨烯纳米带的能带结构和输运性质进行计算优化之后我们得到了最优的计算参数需要说明的是,在结构优化的过程当中,,需要指出的是,对于偶数宽度的石墨烯纳米带,其导电性质发生了显著的转变,有绝缘态转变为导体经过计算我们发现对于型石墨烯纳米带,吸附氢链可咀显著地提高其导电性质,尤其一:是在费米能级附近,在吸附氢的位置处出现了新的边羿态分布关键词:石墨烯褪┠擅状瞧胶馓窳趾芏确汉珹,边界态
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第一章绪论形成的材料当中腙氖ā⒔鸶帐猓褂小N腸‰分子,也有一维┑闹票碳元素是有机化学的基础元素,对于生物体构成的主要材料,由于其灵活的成键性质,形成的谈及材料具有各种各样物理化学性质不同的的结构完全有碳元素的碳纳米管石墨烯纳米带,还有两维石墨烯片。其中石墨烯缤糏是一种新型碳基材料,它是由单层碳原子紧密堆积形成的蜂窝状晶体,是构建其他维度碳基材料的母体,如三维的石墨,一维碳纳米管或者石墨烯纳米带,以及零维的岛。与碳纳米管一样,被看做是下一代半导体应用热门材料,最有希望取代硅做为半导体业的基本原材料石墨烯具有优于硅晶体的特性,使其作为半导体器件具有更加优异的前景例如,石墨烯具有队诠榈鲁叩脑亓髯忧ㄒ坡剩叽的强度,很好的柔韧性和近%,超高热导率,高达舻谋缺砻婊⑶壹近透明,在很宽的波段内光吸收』フ庑┨匦允故┰谏淦稻骞埽槊传感器,导电薄膜,高性能锂离子电池灯有着巨大的应用空阃┡卧亓髯忧移率预计是碳纳米管的自从年首次制备出石墨烯以来,科学家已经发展出了许多新的制各方法,包括机械剥离法,碳化硅或者金属单晶表面外延生长法,化学氧化剥离法,抽曾剥离法以及化学气相沉淀法闞∽,随后人们又制各出石墨烯柔性透明导电膜和三维多孔材料,极大地拓展了石墨烯的应用宇间,但是檀用化学氧化剥离出来的石墨烯往往导电性能不好,最近化学气相沉淀方法的发展促进了大面积高质量石墨烯材料的制备及其在导电膜方面的应用目前、椒ǘ嘁铜箔,镍膜等平面模型作为生长基体,只能得到二维平面的石墨烯薄膜此外,韩国研究小组发展了种新的椒ǎ紫仍诠璩牡譋添加一层擅缀穸鹊哪缓笤闶隙鹊募淄橹屑尤龋俳溲杆俳嫡椅这过程能够得到层石墨烯利用制作镍层图形的方式研究人员能够制各π位氖┱庵址椒ㄊ沟檬┑拇蠊婺I晌?赡苷馐侵票复
一&剥离法±石墨烯的最省钱的办法之一,可以很容易的与现有的半导体制造工艺:大学小组年在戏⒈砺畚摹报道了他们采用机骷镜嫉搅俗畲罂矶瓤纱氖┢渲饕7椒ㄊ怯醚醯壤胱Ⅱ热解石墨表面蚀刻出晟太宽度的槽面,并将其疭咨希荷蘸螅ν该鹘捍锤窗氤龆嘤嗟氖S嘣赟ū∑菰诒V校⒃诖罅康乃氡贾谐逑矗コ蠖嗍蟮玫胶穸刃∮的片层,这些薄的片层主要依靠范德瓦尔斯力昧τ隨裘芙岷希詈笤谠恿ο晕⒕迪绿