文档介绍：中华人民共和国工业和信息化部公告 2013年第47号为进一步加强光伏制造行业管理,规范产业发展秩序,提高行业发展水平,加快推进光伏产业转型升级,根据国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见(国发[2013124号),经商有关部门,制定((光伏制造行业规范条件,现予以公告。工业和信息化部 2013年9月16日附件光伏制造行业规范条件为深入贯彻落实科学发展观,引导光伏制造行业加快转型升级,推动我国光伏产业持续健康发展,根据国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见(国发[2013124号)和国家有关法律法规及产业政策,按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则,制定本规范条件。生产布局与项目设立(一)光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求,符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求,符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。(二)在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。(三)严格控制新上单纯扩大产能的光伏常IJj颓目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新~L"-Tn 改扩建项目,报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为2O%。二生产规模和工艺技术(一)光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。(二)光伏制造企业应具备以下条件:在中华人民共和国境内依法注册成立,、供应和售后服务能力;具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质,每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币;申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第(三)款产能要求的50%。(三)光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求: ;; 吨;;; 200MWp;。。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: ~(GB/T25074) 1级品的要求; (含准单晶硅片)少子寿命大于2s, 电阻率在1~3f~cm,碳、氧含量分别小于16和 S0LARENERGY20/2013 18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10Bs,电阻率在 1~3Qcm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA; %和17%; %%; 、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 l0%、11%、10%。(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: ))(GB/T12963)2级品以上要求; (含准单晶硅片)