F 薄膜的制备方法离子束 溅射.pptx

文档介绍：2. 实验设备：
离子能量：几十～1500ev
3. 优点：
•膜层致密、均匀、减少缺陷
•提高薄膜性能的稳定性（不易吸附气体
或潮气）
•附着好（界面有膜料粒子渗入）
•可分别独立调节各实验参数、控制生
长，以利研究各条件对膜质量的影响。
4. 原因：
•沉积前，先离子轰击基片——溅射表面吸附的污染物，表面除气及净化。
•薄膜形成初期，离子轰击使部分膜料原子渗入基片表层，在界面形成中间薄层——增强附着，改善应力。
•沉积过程中，离子轰击正在形成膜——改善微观结构、膜层更致密。
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在基片表面先沉积一层（膜厚﹤1000 ）
或几层（每层小于150 ）不同物质的膜。（总厚小于 1000 ）
用高能重离子轰击膜层，使膜与基片表面混
合，或多层膜之间混合，形成新的表面材料
层。
（二）离子束混合
2. 对离子束的要求：
•离子能量尽量高（200～300keV以上）
•较高的惰性气体离子，如Ar＋
3. 特点：
•获得常规冶金方法得不到新材料。
•比离子注入法更经济
用离子源产生的离子束轰击靶表面，把靶表面的靶原子溅射出来沉积在衬底表面
（三）离子束溅射法
（一）.直流二极溅射
四 离子溅射镀膜法
（二）射频溅射
（三）磁控溅射
1. 结构原理图
：
把磁控原理和二极溅射法相结合，用磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，受正交电磁场作用的电子，在其能量快耗尽时才落到基片上，大大提高气体的离化率。