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第四部分技术标书.doc

文档介绍

文档介绍:技术标书
设备名称
技术参数及要求
数量
台套
备注
(一)
磁控溅射
沉积系统
技术参数:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质 膜等新型薄膜材料的制备。
真空室尺寸:不小于<t>450mm x350mm。
真空系统配置:复合分子泵、机械泵、闸板阀;
极限压力:<-5Pa :
基片结构:基片加热与水冷独立工作,取下加热炉可以换上水冷基 片台;基片水冷加热公转台;
运动方式:基片可连续回转,转速5-10转/分;
加热:基片加热最高温度600°C±1°C ;
基片负偏压:-200V左右
磁控靶组件:永磁靶3套;靶材尺寸2中60mm (其中一个可以溅射 磁性材料);各靶射频溅射与直流溅射兼容三个靶可共同折向上面 的样品中心,靶与样品距离可调;可实现复合靶材溅射,两种材料 交替溅射。
溅射不均匀性:< ±5%
气路系统:质量流量控制器2路( seem ),充气阀1 路;
1
计算机控制系统:控制样品转动、挡板开关、靶位确认等
溅射电源:两个直流电源,一个射频电源,负偏压电源。
可选配件6工位基片加热公转台,拆下单基片水冷加热台可以换 上该转台,可同时放置6片30mm的基片六个工位中,其中一个工 位安装加热炉,其余工位为自然冷却。
主要设备组成:
主机;真空系统配置:复合分子泵、机械泵、闸板阀、磁控靶组件 气路系统:质量流量控制器3路,充气阀1路;
计算机控制系统:控制样品转动、挡板开关、靶位确认等。
(二)紫
外可见分
光光度计

技术参数:
测试范围190-1100 nm,覆盖紫外、可见。
全波长范围均能实现高灵敏度测定。
杂散光:% 以下(220nm,Nal 10g/L 溶液);% 以下
(340nm, UV-39 滤光片)
分辨率: ;谱带宽度: 6档切换,// 1/2/ 5nm
波长准确性:±
波长重现性:±.(0 ~ ) ; ±( ~ 1 .OAbs);
± %T
扫描速度:波长移动时:约3200nm/min
波长扫描时:约900~160nm/min
显示扫描时:约2500nm/min
1
光度测定模式:吸光度(Abs ),透射率(% ),反射率(% ),能 量(E )
光度测定范围:吸光度:-4~5Abs ,透射率、反射率:~% 光度显示范围:小数点后1至5位可选
光度准确性:±(0~) , ±(~ ),
±0. 3%T(0~100T)以上由NIST 930D标准滤光片测试
噪音:UV-Vis: < (OA) (RMS, 500nm, for 1 sec, 2nm SBW)
< (900nm) < (1500nm)
基线平滑度:± Abs (排除噪音,狭缝2nm ,慢波长扫描速度) 基线稳定性: (电源启动2小时后) 光源:体灯;卤素灯;包含光轴自动调整机构。
软件:与仪

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