文档介绍：技术标书
设备名称
技术参数及要求
数量
台套
备注
（一）
磁控溅射
沉积系统
技术参数:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。
真空室尺寸：不小于<t>450mm x350mm。
真空系统配置：复合分子泵、机械泵、闸板阀；
极限压力:<-5Pa :
基片结构：基片加热与水冷独立工作，取下加热炉可以换上水冷基片台；基片水冷加热公转台；
运动方式：基片可连续回转，转速5-10转/分；
加热：基片加热最高温度600°C±1°C ;
基片负偏压：-200V左右
磁控靶组件：永磁靶3套；靶材尺寸2中60mm （其中一个可以溅射磁性材料）；各靶射频溅射与直流溅射兼容三个靶可共同折向上面的样品中心，靶与样品距离可调；可实现复合靶材溅射，两种材料交替溅射。
溅射不均匀性：< ±5%
气路系统：质量流量控制器2路（ seem ）,充气阀1 路；
1
计算机控制系统：控制样品转动、挡板开关、靶位确认等
溅射电源：两个直流电源，一个射频电源，负偏压电源。
可选配件6工位基片加热公转台，拆下单基片水冷加热台可以换上该转台，可同时放置6片30mm的基片六个工位中，其中一个工位安装加热炉，其余工位为自然冷却。
主要设备组成：
主机；真空系统配置：复合分子泵、机械泵、闸板阀、磁控靶组件气路系统：质量流量控制器3路，充气阀1路；
计算机控制系统：控制样品转动、挡板开关、靶位确认等。
（二）紫
外可见分
光光度计
①
技术参数：
测试范围190-1100 nm,覆盖紫外、可见。
全波长范围均能实现高灵敏度测定。
杂散光：% 以下（220nm,Nal 10g/L 溶液）；% 以下
（340nm, UV-39 滤光片）
分辨率： ;谱带宽度： 6档切换，// 1/2/ 5nm
波长准确性:±
波长重现性：±.（0 ~ ） ; ±（ ~ 1 .OAbs）;
± %T
扫描速度：波长移动时：约3200nm/min
波长扫描时：约900~160nm/min
显示扫描时:约2500nm/min
1
光度测定模式:吸光度(Abs ),透射率(% ),反射率(% )，能量(E )
光度测定范围:吸光度：-4~5Abs ,透射率、反射率：~% 光度显示范围：小数点后1至5位可选
光度准确性：±(0~) , ±(~ ),
±0. 3%T(0~100T)以上由NIST 930D标准滤光片测试
噪音：UV-Vis: < (OA) (RMS, 500nm, for 1 sec, 2nm SBW)
< (900nm) < (1500nm)
基线平滑度:± Abs (排除噪音，狭缝2nm ,慢波长扫描速度) 基线稳定性: (电源启动2小时后) 光源：体灯；卤素灯；包含光轴自动调整机构。
软件：与仪