文档介绍：湖南大学
硕士学位论文
低维纳米体系中光输运性质的研究
姓名:陈桂林
申请学位级别:硕士
专业:凝聚态物理
指导教师:陈克求
20090518
摘要近年来,以超晶格、量子线等为代表的低维量子结构中的光学性质引起了人们广泛的关注,是凝聚态物理领域中的一个研究热点。本论文针对含结构缺陷的超晶格中的等离激元模和光的传输性质进行了比较深入的研究。在界面响应理论下,利用麦克斯韦方程和ɡ硐嘟岷希颐窍低逞芯了含包覆层的半无限超晶格中局域等离激元模的性质。计算结果表明,局域等离激元模不仅出现在微带的上方或下方,而且还出现在微带中间,完整呈现了等离激元模从扩展模向局域模演变发展的过程,这是因为各种参数的变化导致了包覆层与超晶格之间能量的不同耦合;我们将之推广于左手材料中,发现包覆层为左手材料会导致更多模的出现或消失。研究表明通过控制包覆层和超晶格各组分层的结构参数可以很好地调控等离激元的性质。。,.毕莸慕资⑷肷浣堑纫蛩囟灾芷诔Ц袷湓似椎挠跋臁Q芯拷果表明:.毕萁资礁撸肷浣窃酱螅毒突嵩娇恚笫植牧系奶殊性质也使带隙明显变宽。这些研究结果为器件的设计提供了非常重要的参考依关键词:缺陷超晶格;准周期结构;左手材料;等离激元;带隙据。硕貉宦畚Ⅱ
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插图索引W笫植牧鲜保瑆痺。对等离激元微带和局域的等离激元模的影响⋯⋯图超晶格结构图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图电磁波的传播示意图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图光在左手材料和右手材料中的折射⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..вΑ效ⅰ图结构示意图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯S沂植牧鲜保琖,对等离激元微带和局域的等离激元模的影响⋯⋯⋯⋯S沂植牧鲜保牛缘壤爰ぴN⒋途钟虻牡壤爰ぴD5挠跋臁S沂植牧鲜保龋ザ缘壤爰ぴN⒋途钟虻牡壤爰ぴD5挠跋臁时,模㈢浚椭那邢蚝头ㄏ虻绯》植肌W笫植牧鲜保琖,对等离激元微带和局域的等离激元模的影响⋯⋯⋯⋯W笫植牧鲜保疲缘壤爰ぴN⒋途钟虻牡壤爰ぴD5挠跋臁S沂植牧系那榭鱿拢獠ㄕ肷涫苯峁沟耐干淦住S沂植牧系那榭鱿拢獠ㄐ比肷涫苯峁沟耐干淦住W笫植牧系那榭鱿拢獠ㄕ肷涫苯峁沟耐干淦住W笫植牧系那榭鱿拢獠ㄐ比肷涫苯峁沟耐干淦住图图光在含—毕莸闹芷诔Ц裰械拇úナ疽馔肌低维纳水体系中光输运·阵质的研究
作者签名:酰栏林日期:加年乡月牛日日期:肽湖南大学学位论文版权使用授权书学位论文原创性声明∥月牛日日期:┠本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权湖南大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇本学位论文属于年解密后适用本授权书。朐谝陨舷嘤Ψ娇蚰诖颉啊獭取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任法律后果由本人承担。编本学位论文。⒈C芸冢⒉槐C芡拧隆日
』蛐芝幽刿二第滦髀引言半导体超晶格是用同种材料鏕鲥交替掺以聆型和驮又剩莆5髦撇粼映Ц瘢煽分子束外延等超薄生长技术和精细束加工制造技术的发展与完善,使人们可以用各种材料制作各种各样的半导体结构,以得到人们想要的各种性能,因此对半导体材料和半导体器件的研究显得格外重要。其中,对以半导体超晶格、量子阱、量子线和量子点等为代表的半导体低维结构的物理性质的研究更是人们关注的重点,半导体超晶格在一个新的水平上体现了半导体的诸多特点。经过多年的发展,半导体低维结构已发展成为一个广阔的研究领域,其丰富的物理内涵,推进高新科技的潜力以及广阔的前景日益为人们所认识,有望成为新一代的微电子、光电子的主流材料。同时,随着科学技术的发展,作为信息技术主要支撑的近代微电子技术正在走向物理上和技术上的极限,电子器件的小型化,空间相容性等都受到极大的限制,对光子的研究受到了人们越来越多的关注,低维纳米结构的光学性质成为凝聚态物理中具有强劲发展势头的重要领域之一。年,在美日籍科学家江崎和华裔美国科学家朱兆祥Ⅲ在寻找具有负微分电阻的新器件时提出超晶格的概念。他们认为具有周期结构的晶体材料的晶格常数太小,使得周期材料的性能达到了极限,但天然材料的周期是无法改变的,为了得到可自由控制周期的人工材料,他们提出两个设想以得到人工晶体材料:一成是由许多超薄的坏督岽