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纳米复合ZnO粉体的晶粒生长及其陶瓷电子陷阱的研究论文.pdf

文档介绍

文档介绍:南京航空航天大学
硕士学位论文
纳米复合ZnO粉体的晶粒生长及其陶瓷电子陷阱的研究
姓名:侯清健
申请学位级别:硕士
专业:材料学
指导教师:徐国跃
20050201
、电力设备和系统上。同时近年来纳米材料在各个方面纳米厶逶谘姑舻缱枭系挠τ谩本文首先研究了复合纳米厶逶诔Q购腿妊瓜碌纳战峁毯常压烧结和热压烧结的晶粒生长指数为浔砉刍罨芊直鹞痶士/。热压烧结能降低烧结温度,加快陶瓷的致密化,抑制晶粒的生长。在热压烧结的基础了研究了热处理对压敏陶瓷的影响,提出了氧吸附的缺陷化学反应过程和过渡金属元素偏聚于晶界对压敏陶瓷的影响。通过掺/缱幼孕舱衿难芯浚衔9山鹗粼K仄ň塾诰Ы缂捌涠缘缱拥氖渴茄敏特性的根源所在。最后研究了压敏电阻的温度特性和阻抗谱。通过压敏电阻阻抗谱的研究,确定了晶粒和晶界对压敏电阻电性能的贡献,并由此得到压敏电阻的等效电路。关键词:谎姑舻缱瑁荒擅追厶澹蝗妊股战幔痪ЯIぃ坏缱酉葳澹晃露特性;阻抗谱的应用取得重大进展。鉴于这两方面的发展需要,本课题探讨了复合晶粒生长规律,确定了晶粒生长指数和表观活化能。实验结果表明,南京航空航天大学硕士学位论文
复合纳米厶宓钠妨I跫捌涮沾傻缱酉葳宓难芯,痶痬.·籌,:籚籒;猵籊;;甀
作者签名:。尽我所知,除文中已经注明引用的内容外,本学位论文的研究成果不包含任何他人享有著作权的内容。对本论文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体,均已在文中以明确方式标明。查阅和借阅,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下,独立进行研究本人授权南京航空航天大学可以有权保留送交论文的复印件,允许论文被C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽境信凳日
.旁∥’第一章绪论满足这类要求,如结构陶瓷和功能陶瓷,这些陶瓷的特性和用途是其他材料不可比拟的,具有很好的发展潜力。因此近年来,各主要工业国家都十分重视这些特殊陶瓷的开发和研制,并形成了世界性的陶瓷热。被称之为“万能杨:为新型陶瓷惺亲畲蟮囊焕嗖罚玫搅斯惴河τ谩=甘昀矗孀科技的进步,现代化程度的逐步提高,电子产品在人们的生活中占据了十分重要的地位,电子陶瓷的地位也日益重要。其电导率往往与温度、湿度、气氛、光照、电场、磁场等瓷、气敏陶瓷、光敏陶瓷等。敏电阻器是一种电阻僮对外加电压敏感的电子元件,随着电压的增高,压敏近年来,由于科技的迅速发展,特别是电子技术、空间技术、计算机技术及原子能工业的兴起,迫切需要一些特殊性能的材料,而某种陶瓷恰恰能材料”的特种陶瓷将是世纪的新型材料【俊电子陶瓷是用于电子产品和电力设备中的一类特种陶瓷,,这种陶瓷称为敏感陶瓷,包括压敏陶瓷、热敏陶瓷、湿敏陶压敏陶瓷是指电阻值与外加电压呈显著的非线性关系的半导体陶瓷【引,其电阻值在一定电压范围内可变,加上电极,则成为压敏电阻器。压电阻器的阻值下降很快,少许电压的增加就会引起一个大的电流增量,畍特性不是一条直线。如图所示。姑舻缱线性电阻南京航空肮犬人学硕士学位论文图压敏电‘阻的獀曲线电崔电鹾
口痕载∽唧。稿亍面,素,:氧化锌压敏电阻非线性系数悍窍咝韵凳敲枋龅缱杵鞣窍咝郧咳醯牡绮问T谘在理论研究中,还经常采用电流密度氲绯∏慷菶之间的关系来表征在很宽的电流范围内,皇且桓龀JT谛〉缌骱痛蟮缌鳎琣值均有所下降;在曲线急剧上升区垂ぷ髑,荡锏阶畲螅<沙浞址⒒臃压敏电压偷缪刮露认凳Ⅱ,阂话闼道矗缌髟附近时,压敏电阻器的悼纱镒畲螅虼送电流相对应的电压作为随仙钡缪勾笮〉谋曛荆汛说缪钩莆Q姑舻缪梗肰表示。随着温度的上升,压敏电压会下降,电压温度系数就是衡量这个温度特性的参数,其定义是:在规定的温度范围内,温度每变化媸保愎β侍跫虏獾玫难由姑舻缱杈哂邢扪剐偷姆窍咝苑蔡匦裕虼四苡行У囊种评擞抗电压,提高电器和电子设备的电磁兼容性和安全性。压敏电阻器的种类有很多,包括姑舻缱琛压敏电阻器,环形压敏电阻等,而氧化锌压敏电阻是目前压敏电阻器的主流。敏电阻的工作区域,电压与电流的关系可由如下的经验公式表示:由募负我庖蹇芍#琣值越大,该直线越陡,非线性越强。有时为了理论研究的方便,可将Ⅱ写成解析形式。,线性的作用,悼纱锏陨稀伍。一般在.’ǎ/℃。】【俊得:非线性畍特性:敏电压的相对变化率,可用下式表示:¨’复台纳米厶宓木ЯIぜ捌涮沾傻缱酉葳宓难芯./
漏电流:压敏电阻器正常工作时流过的电流叫漏电流。实验时一般温度有关,电压和温度的升高都会使漏电流增大。姑舻缱杵鞯难芯坷泛拖肿础【制作而

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