文档介绍：Silvaco TCAD工艺仿真模块及工艺仿真流程
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主要内容
第一部分
工艺仿真器介绍
第二部分
工艺仿真流程
第三部分
总结
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1 工艺仿真器介绍
第一部分
工艺仿真器介绍
第二部分
工艺仿真流程
第三部分
总结
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工艺仿真模块
工艺仿真软件
二维硅工艺仿真器
蒙托卡诺注入仿真器
硅化物模块的功能
精英淀积和刻蚀仿真器
蒙托卡诺沉积刻蚀仿真器
先进的闪存材料工艺仿真器
光电印刷仿真器
DeckBuild 集成环境
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SSuprem4
ATHENA
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ATHENA
分析和优化标准的和最新的隔离流程，包括 LOCOS，SWAMI，以及深窄沟的隔离
在器件制造的不同阶段分析先进的离子注入方法——超浅结注入，高角度注入和为深阱构成的高能量注入
支持多层次杂质扩散，以精确预测衬底与邻近材料表面的杂质行为
考虑多重扩散影响，包括瞬态增强的扩散，氧化/硅化加强的扩散，瞬态激活作用，点缺陷和簇群构造以及材料界面的再结合，杂质分离，和传输
通过 MaskViews 的掩模构造说明，工程师可以有效地分析在每个工艺步骤和最终器件结构上的掩模版图变动的影响。
与光电平面印刷仿真器和精英淀积和刻蚀仿真器集成，可以在物理生产流程中进行实际的分析。
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SSuprem4
实验验证的 Pearson 和 dual-Pearson 注入模型
非高斯深度相关的横向注入分布函数
扩展的注入矩表，有能量，剂量，旋转和氧化物厚度变化
用户定义的或蒙特卡洛提取的注入矩
杂质扩散和点缺陷扩散完全复合
氧化和硅化增强/延缓的扩散
快速的热量减退和瞬态增强扩散 (TED)
由于导致点缺陷的注入和{311}空隙束而引起的 TED 影响
以颗粒为基础的多晶硅扩散模式
应力相关的粘性氧化模型
分离硅和多晶硅的氧化率系数与掺杂浓度相关性
经由 MaskViews 的淀积作用和刻蚀说明
外延生长模拟
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MC 蒙特卡洛注入仿真器
在所有主要的三维结晶方向的离子引导
以物理为基础的损伤积累和无定形的影响
在无定形区域的随机碰撞
二维拓扑影响包括离子遮蔽和反射
可以在 200eV-2MeV 的大范围内精确校准能量
偏差减少模拟技术可以提升十倍的效率
精确计算由损伤，表面氧化，光束宽度变化，注入角度，以及能量和不定形材料引起的分离通道影响
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硅化物模块的功能
适用于钛，钨和铂的硅化物
在基片硅中硅化物增强扩散
扩散和反作用的有限生长率
在硅化物/金属以及硅化物/硅（多晶硅）界面的反作用和边界运动
精确的材料消耗模型
硅和多晶硅材料的独立比率
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精英淀积和刻蚀仿真器
以物理为基础的刻蚀和淀积模型
带有各向异性性和各向同性刻蚀率的材质回流模型
干法刻蚀模式的光束扩散
微加载影响
由单向的，双向的，半球状的，轨道式的，以及圆锥形源引起的淀积作用
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光刻仿真器
投射，接近，和接触系统
模拟非平面的基础构造
相位移位，二元以及局部传动的掩模
g，h，i，DUV 和宽线源
散焦，任意光源形状，空间过滤以及局部相关性影响
高数字的孔径模型
四级照明模型
照明系统失常模型
考虑到衍射影响的曝光模型
一流的开发模型
后曝光烘培模式
顶部和底部的抗反射镀膜
支持使用 Bossung 曲线和 ED 目录结构的 CD 控制
为印制的图像提供交互式光学接近校正
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