文档介绍：Silvaco TCAD 工艺仿真(一)
Tang shaohua, SCU
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E-Mail: shaohuachn@
shaohuachn@
ATHENA工艺仿真软件
ATHENA 能帮助工艺开发工程师开发和优化半导体制造工艺。
ATHENA提供一个易于使用,模块化的,可扩展的平台。
可用于模拟离子注入,扩散,刻蚀,淀积,以及半导体材质的氧化。它通过模拟取代了耗费成本的硅片实验,可缩短开发周期和提高成品率。
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工艺仿真模块
ATHENA工艺仿真软件
SSuprem4二维硅工艺仿真器
MC蒙托卡诺注入仿真器
硅化物模块的功能
精英淀积和刻蚀仿真器
蒙托卡诺沉积刻蚀仿真器
先进的闪存材料工艺仿真器
光电印刷仿真器
DeckBuild
集成环境
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ATHENA工艺仿真软件
所有关键制造步骤的快速精确的模拟,包括CMOS,bipolar,SiGe,SOI,III-V,光电子学以及功率器件技术
精确预测器件结构中的几何结构,掺杂剂量分配,和应力
有助于IDMs,芯片生产厂商以及设计公司优化半导体工艺,达到速度、产量、击穿、泄漏电流和可靠性的最佳结合
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ATHENA工艺仿真软件
分析和优化标准的和最新的隔离流程,包括LOCOS,SWAMI,以及深窄沟的隔离
在器件制造的不同阶段分析先进的离子注入方法——超浅结注入,高角度注入和为深阱构成的高能量注入
支持多层次杂质扩散,以精确预测衬底与邻近材料表面的杂质行为
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考虑多重扩散影响,包括瞬态增强的扩散,氧化/硅化加强的扩散,瞬态激活作用,点缺陷和簇群构造以及材料界面的再结合,杂质分离,和传输
精确地对几何刻蚀和共形淀积,以及个别结构和网格处理技术建模,用以允许进行多器件几何结构的模拟和分析。
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ATHENA工艺仿真软件
通过MaskViews 的掩模构造说明,工程师可以有效地分析在每个工艺步骤和最终器件结构上的掩模版图变动的影响。
与光电平面印刷仿真器和精英淀积和刻蚀仿真器集成,可以在物理生产流程中进行实际的分析。
与ATLAS 器件模拟软件无缝集成
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可仿真的工艺 (Features and Capabilities)
Bake
CMP
Deposition
Development
Diffusion
Epitaxy
Etch
Exposure
Imaging
Implantation
Oxidation
Silicidation
具体描述请参见手册中 Features and Capabilities
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ATHENA 的输入和输出
工艺步骤
GDS版图
掩膜层
一维和二维结构
E-test数据(Vt)分析
电阻和CV分析
涂层和刻蚀外形
输出结构到ATLAS
材料厚度,结深
CD外形,开口槽
ATHENA
工艺模拟软件
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工艺仿真流程
1、建立仿真网格
2、仿真初始化
3、工艺步骤
4、抽取特性
5、结构操作
6、Tonyplot显示
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