凝聚态物理隧穿晶体管刘强.pptx

文档介绍：隧穿晶体管（TFET）—高能效电子开关
主要内容
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原理阐述
G
N+
N+
P掺杂


N-
G
N+
P++


关断状态
关断状态
加栅极电压
加栅极电压

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原理阐述
对MOS管来说
G
N+
N+
特点：
；
。
对TFET来说

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原理阐述
特点：
；
，需要：

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增大 的方法



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增大 的方法
：
可以保证继续减小栅长

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减小λ的方法
；
：环栅、小的体厚；
。

N-
G
N+
P++
在几纳米内分出4、5个浓度数量级
无掺杂区域
λ1
λ2

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漏电流的产生
漏电流的产生：
降低掺杂浓度

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III-V族半导体
栅极电压Vg
如何有窄的Eg和有效质量较小的载流子？
Group III-V-semiconductor-based TFETs
Si、Ge是间接带隙半导体，而GaAs、InAs、InSb等是直接带隙半导体，可以提供较高的迁移率。