文档介绍：琾:。\,琲琏零焱∥稚黔篱目录第一章引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第二章一维量子点阵列的制备与表征⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..第三章量子点阵列的低温输运性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯发表文章⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯摘要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。。⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.。⋯⋯⋯..§自组织生长量子点⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§本文的主要工作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§一维量子点阵列的制备⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§.肿邮庋蛹际跫蚪椤§.晃及赋牡字票浮§.晃帕辛孔拥愕纳ぁ§表征技术⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§.鸢虢哟ィぬ鼗评荨缂纺诽匦浴及样晶测试方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§电学测试结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§低温下的载流子输运理论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§不同温度区间的载流子输运机制讨论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第四章低温磁阻研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§磁阻⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§正磁阻⋯波函数收缩理论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§负磁阻⋯不同跳跃路径的退相干效应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§负磁阻⋯磁场导致的定域化长度变化效应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§实验结果讨论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯致谢⋯⋯⋯。⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。⋯⋯.⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯....⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯..二.§.
⋯▄Ⅲ砌一维有序排列量子点的低温输运性质研究系别:塑堡堂墓专业:趟塞查物堡作者:韭红垂导师:整量煎教授电导有贡献。通过导电层的电阻与温度的函数关系分析,证明低温下两个导电层中载流子的输运均遵从二维体系的变程跳跃啤T赩机制点层中由于卸效应引起的能级移动效应导致的负磁阻效应。摘要利用分子束外延诳逃幸晃档赖膒型及赋牡咨希票赋一维有序排列的量子点。在此基础上,通过在样品表面蒸镀铝电极,寻找合适退火条件使电极与样品形成欧姆接触,进而通过综合物性测量系统的四探针法研究了低温下样品的电阻,磁阻性质。实验表明当温度低于笥遥匾维沟道的纵向电阻明显低于沿垂直沟道的横向电阻。通过分析发现,这是由于低温下样品中同时存在两个导电层,硼掺杂的愫土孔拥悴悖笳咧欢宰菹下,样品电阻随磁场呈现出先增大后减小的现象,并且电阻最大值随温度降低而增大,对应的磁场也更靠近低场区。这种现象可以认为是由于两个导电层具有不同的磁阻效应引起的,即在磁场中愕牟ê账醯贾碌恼抛栊вτ肓孔关键词:图案衬底;量子点;变程跳跃;负磁阻中图分类号:—
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第一章引言自组织生长量子点及其目前存在的主要问题研究锗硅自组织量子结构的意义半导体量子点是一种三维尺寸都趋于载流子的德布罗意波长的半导体纳米穴世嘣幼吹姆至涯芗叮戳孔踊挥忠蛭1幌拗圃诹孔咏峁怪械牡缱空现的塞曼分裂等。正是这些新的光学与电学性质,量子点在未来的纳米电子器件、解,已经可以在一定程度上控制量子点的生长位置和其尺寸的均匀性。在某种程库仑阻塞效益,变程跳跃,以及近藤效应的进一步研究。目前半导体量子点研究领域中亟待解决的问题包括:寸均匀且空间分布有序的量子点,需要彻底了解自组织生长过程中的内在机理。●深入了解量子点的特性。量子点的物理、化学和结构特性之间是相互关联的,概念,基于人工原子孔拥之间相互作用,可以构造人工分子孔拥惴肿、§结构。在量子点中,由于载流子的运动在空间的三个方向上都受到限制,电子穴淝苛业目饴叵嗷プ饔茫瓜殖鲂矶嘤胩宀牧辖厝徊煌窒蠛吞赜械男灾剩如量子限制效应,共振遂穿,声子约束效应,二维电子气效应,在磁场作用下出光电子器件,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景。如今,随着人们对自组织半导体量子点生长机理的不断认识以及对量子点特性的不断了度上,这使得量子点体系己成为一个可调控的理想低维物理系统,从而方便了对●如何控制自组织半导体量子点的生长。异质生长过程中的自组织方法是一种非常简单快捷地得到量子点的方法,但是其尺寸和空间分布不均匀。为了