文档介绍：模拟电子技术基础,课后****题答案
[模版仅供参考，切勿通篇使用]
　　篇一：
　　模拟电子技术基础
　　第一章
　　电路如题图所示，已知ui?5sin?t?V?，二极管导通电压降UD?。试画出
　　ui和uo的波形，并标出幅值。
　　解：通过分析可知：
　　(1)当ui?时，uo?(2)当ui?时，uo?ui(3)当ui时，uo总结分析，画出部分波形图如下所示：
　　二极管电路如题图所示。（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算Ao两端的电压UAo。
　　解：对于（a）来说，二极管是导通的。
　　采用理想模型来说，UAo6V采用恒压降模型来说，UAo
　　对于（c）来说，二极管D1是导通的，二极管D2是截止的。
　　采用理想模型来说，UAo?0采用恒压降模型来说，UAo
　　判断题图电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID
　　解：（b）先将二极管断开，由kVL定律，二极管左右两端电压可求出：
　　25
　　15?＝?225?510
　　U右＝15?＝1V
　　140?10U左＝?10?
　　故此二极管截止，流过的电流值为ID＝0
　　（c）先将二极管断开，由kVL定律，二极管左右两端电压可求出：
　　52
　　＝，U左＝?20?＝?518?210
　　U右＝15?＝1V
　　140?10U左1＝15?
　　由于U右?U左?，故二极管导通。运用戴维宁定理，电路可简化为
　　ID?
　　μ
　　测得放大电路中六只晶体管的电位如题图所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
　　解：T1:硅管，PNP，对应b,12V对应e,0V对应c
　　T2:硅管，NPN，对应b,3V对应e,12V对应cT3:硅管，NPN，对应b,12V对应e,15V对应cT4:锗管，PNP，12V对应b,对应e,0V对应cT5:锗管，PNP，对应b,15V对应e,12V对应cT6:锗管，NPN，12V对应b,对应e,15V对应c
　　模拟电子技术基础第二章
　　当负载电阻RL?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（RL）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。解：由题意知：
　　UoC
　　RL?
　　ro?RL
　　解得ro?Ω
　　电路如题图所示，设BjT的UBE?，ICEo、ICES可忽略不计，试分析当开关
　　S分别接通A、B、C三位置时，BjT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。
　　解：ICS?12/4?3mA，IBS?3/80?
　　(1)开关打在A上：IB?
　　12?
　　IBS，故三极管工作在饱和区。40
　　IC?ICS?3mA
　　(2)开关打在B上：IB?
　　12?
　　IBS，故三极管工作在放大区。500
　　ICIB?
　　(3)开关打在C上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。IC=0
　　题图画出了某固定偏流放大电路中BjT的输出特性及交、直流负载线，试求：(1)电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；(2)电阻Rb、Rc的值;
　　(3)输出电压的最大不失真幅值；
　　(4)要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
　　解：(1)由输出特性图中可以读到：IB?20uA，IC?1mA，UCE?3V,VCC?6V。(2)Rb?
　　VCCV?UCE
　　300kΩ，RC?CC?3kΩIBIC
　　'
　　(3)UoM?min(UCE?UCEQ,UCEQ?UCES)?min(?3,3?)?(4)要使电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值取20uA
　　2_11、单管放大电路如图题所示已知BjT的电流放大系数β＝50。（1）估算Q点；
　　（2）画出简化H参数小信号等效电路；（3）估算BjT的朝人电阻rbe；（4）如
　　VVo输出端接入4kΩ的电阻负载，计算AV?及AVS?o?。?iS
　　解（1）估算Q点
　　IB?
　　VCC
　　40?AICIB?2mARb
　　VCE?VCC?ICRC?4V
　　（2）简化的H参数小信号等效电路如图解所示。（3）求rbe
　　rbc?200(1)
　　26mV26mV
　　200(1?50)?863?IE2mA
　　'?V?(RC||RL)?R0L（4）A116VrberbeVi
　　V?V?VRiRb||rbe00?
　　AVS?i?A?A73VVRi?RsRs?Rb||rbeVsViVs
　　2-,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大