文档介绍：本征半导体的特点：
①共价键结构
共价键
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②本征激发
温度对半导体器件性能影响很大。
无光照、热激发
本
绝缘
光、热激发
本
导电
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在一定温度下，载流子（自由电子和空穴）的产生和复合达到动态平衡，维持一定数目。
自由电子
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空穴
③导电方式
空穴电流
电子电流
半导体中同时存在着电子导电和空穴导电
温度越高，载流子的数目就越多，导电性能也就越好。
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Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
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外电场
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呈电中性
④在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现
带电粒子示意图
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二、杂质半导体
在本征半导体中掺入微量杂质元素
1、N型半导体
在硅（或锗）的晶体内掺入少量的五价元素杂质，如磷（或锑）
多数载流子（简称多子）：自由电子
少数载流子（简称少子）：空穴
电子>>空穴
电中性
带电粒子示意图
正离子不参与导电
（电子半导体）
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2、P型半导体
在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素硼
多数载流子（简称多子）：空穴
少数载流子（简称少子）：自由电子
电中性
带电粒子示意图
空穴>>电子
负离子不参与导电
（空穴半导体）
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空间电荷区
内电场方向
一、 PN结的形成
§ PN结及其单向导电性
结合→多子扩散→复合→内电场→阻止多子扩散，增强少子漂移→动态平衡→PN结（耗尽层，空间电荷区）
P
N
P
N
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二、PN结的单向导电性
只有在外加电压时才显示出来
1、外加正向电压——P 接电源正极，N接电源负极。
空间电荷区变窄
PN结处于导通状态
导通时呈低阻
形成较大的正向电流
空间电荷区变窄
内电场方向
外电场方向
P
N
E
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2、外加反向电压——N区接电源正极， P接电源负极
空间电荷区变宽
PN结处于截止状态
截止时呈高阻
I---反向饱和电流（很小）
温度增加---反向电流增加
空间电荷区变宽
内电场方向
外电场方向
P
N
E
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结论：
PN结的单向导电性
P