文档介绍：化学学报 AarA CHIMICA 8INICA l t110 18 , 561-565 交流电方法用于单晶 n 一-Cd Te 光电极性能的研究范钦柏邓萦旷〈上海科学技术大学化学系,上海〉本文应用循环伏安法研究了 n 型暗化铺单晶电极的光致腐蚀行为;并运用 PAR M368 电化学阻抗系统测得了此电极在不同电位下的交流复阻抗图,, 液体结具有结的特征,此电极的能级可能有"钉扎"现象. 化合物半导体 CdTe 的能隙适中,是一种较为理想的光电转换材料文献是对 n- CdTe 单晶光电极系统研究的一部分. 近年来,循环伏安法和交流阻抗法在半导体电极性能的研究上已得到了应用民 PAR M368 交流阻抗测试系统是通过对高频信号锁相放大和低频信号 Fourior 变换,经微机控制来精确测量复阻抗的,对软件适当改进, n dTe 光电极的性能作了进一步的研究. 实验 :由 Cd 气压控制下的 Bridgman 法制成的低阻掺 In 单晶 n-CdTe ,由我校材料科学系提供载流子浓度为 X 10 17 om- ,选择光亮致密而完整的单晶面经 X 射线走向为向偏离驴,背面用 In-Sn 合金作欧姆接触,制成的光电极表面经 Wl0 号金相砂纸磨光后,用 Si0 膏抛光成镜面. 对电极由四根石墨碳棒串扎而戚,参比电极为饱和甘京电极 SCE). 文中所述电位均相对此电极而言. 电池中采用的多硫溶液由 NaOH 及升华硫配得. (实验中所用溶液除注明外均用分析纯试剂配制) . 光电极的化学刻蚀溶液为 2gK C 0 7(CR) 4 皿 LHNO 及 10mLH 刻蚀时间为 80s ,光源为 400W 卤鸽灯,光强为 50mW/om 循环伏安曲线和交流阻抗图在 PAR M368 电化学阻抗测试系统上测得. 结果与讨论循环伏安研究在 1MNaOH lMHCl 及 1MK Cl等溶液中,测定了电极的循环伏安曲线,实验在刻蚀前与刻蚀后,、阳极极化电流往往比不光照时的大,见图一, 1MHCl 溶液(pH=O) 中,电极光照下有一峰,电位约为一 ,它与电极处理与否无关,是先腐蚀峰, 如圈年月日收到本文系中国科学院自然科学基金资助的课题. .582. 化学学报 AOTA CHIMICA SINICA 1ω。 1600 1200 800 400 -1600 ..2000 -1. 5 -1. 0 - E/V() 图光电极在 pH=O 溶液中的循环伏安曲线一未经处理; 一经刻蚀; 一经光照;韭一刻蚀和光照扫速: 25mVjs 200 150 100 < 50 0 o -1. 0 - E !V () 图光电极在 pH=14 液溶中的循环伏安曲线扫速: 25mV 其它条件同图 bsCH -600 L - -1. 0 一 EIY() 图电极经刻蚀后光照下的循环伏安曲线卫一 pH-O; 2-pH~7; 3-p