文档介绍：模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与****题解答山东大学物理与微电子学院 2 目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥ 50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥ 90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 114 第 10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 126 3 第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。(1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素, 可将其改型为 P 型半导体。(√) (2) 因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√) (4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压, 才能保证其 GSR 大的特点。(√) (6) 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 GSU 大于零,则其输入电阻会明显变小。(×) 二、选择正确答案填入空内。(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽( 2) 稳压管的稳压区是其工作在 C。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿( 3) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A、C。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管三、写出图 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 U D= V。图 解: U O1= V,U O2=0V,U O3= - V,U O4=2V,U O5= V,U O6= -2V。四、已知稳压管的稳压值 U Z=6V, 稳定电流的最小值 I Zmin =5 mA 。求图 所示电路 4 中U O1和U O2 各为多少伏。(a) (b) 图 解: 左图中稳压管工作在击穿状态,故 U O1=6V。右图中稳压管没有击穿,故 U O2=5V。五、电路如图 T1. 5 所示, =15 V,?= 100 ,U BE = V。试问: (1) R b =50 k?时, U o=? (2) 若T 临界饱和,则 R b=? 解: (1)26 BB BE Bb V U I A R ??? ?, C B I I mA ?? ?,2 O CC C c U V I R V ? ??。图 T1. 5 (2)∵2. BE CSc V U I mA R ?? ?, / BS CS I I A ? ?? ?∴ BB BE b BS V U R k I ?? ??六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl. 6 所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区) ,并填入表内。表 T1. 6 管号 U GS(th) /VU S /VU G /VU D /V 工作状态 T 14 -513 恒流区 T 2 -433 10 截止区 T 3 -4605 可变电阻区解: 因为三只管子均有开启电压, 所以它们均为增强型 MOS 管。根据表中所示 5 各极电位可判断出它们各自的工作状态,如表 Tl. 6 最后一栏所示****题 选择合适答案填入空内。(l) 在本征半导体中加入(A) 元素可形成 N 型半导体,加入(C) 元素可形成 P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价(2) 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)。 A. 增大 B. 不变 C. 减小(3) 工作在放大区的某三极管,如果当 I B从 12 uA 增大到 22 uA 时, I C从l mA 变为 2 mA ,那么它的β约为(C)。 A. 83B. 91C. 100 (4) 当场效应管的漏极直流电流 I D从2 mA 变为 4 mA 时, 它的低频跨导