文档介绍：IGBT系统设计全攻略【详细】
2
———————————————————————————————— 作者：
———————————————————————————————— 日期：
个人收集 仅供参考学习 勿做商业用途
IGBT 系统设计全攻略【详细】
----摘自中华电源网
详解IGBT系统[图文]
  IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET〔输入级〕和PNP晶体管〔输出级〕复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点〔控制和响应〕，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点〔功率级较为耐用〕，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz频率范围内。
理想等效电路与实际等效电路如下图：
IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性〔开关特性〕。
动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：
3
个人收集 仅供参考学习 勿做商业用途
IGBT的开通过程
IGBT 在开通过程中，分为几段时间
，也是分为三段的充电时间
，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。
IGBT在关断过程
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
 
功率器件在绿色节能设计中的应用【IGBT、MOSFET】
 
4
个人收集 仅供参考学习 勿做商业用途
功率器件是功率电子技术的核心器件，特别是IGBT模块和MOSFET器件被广泛应用于工业设备、汽车电子、家电等领域，为这些领域的节能提供了帮助。在世界都需要节能的情况下，功率器件的重要性将日益提高，开展前景将更加光明。本专题为你呈现功率器件的最新资讯及其主要应用领域中的节能设计方案。
 
关于IGBT保护电路设计必知问题
 
摘要：全面论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好。
1 引言
IGBT〔绝缘栅双极性晶体管〕是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGB