半导体器件与工艺作业.doc

文档介绍：作业
小论文:根据前面学过得微电子学方面的知识,选择自己感兴趣部分内容,查阅相关的资料,就某一个议题写一篇小论文,等我下次来深圳时组织大家在全班范围内就自己的论文作一个学术报告。论文的长度以不少于3000字为宜,报告时间以15分钟为宜(请提前准备报告胶片)。
从物理概念入手,定性分析PN结、PNP双极晶体管、PMOS晶体管的工作原理和器件的特性,画出这三种器件的特性曲线。
设计一个制备如下结构器件或电路的工艺流程,并画出主要工序的截面示意图和俯视图。
槽隔离的CMOS器件
NPN双极晶体管
掌握微电子、集成电路、半导体、迁移率、空穴、输运、产生复合、氧化、扩散、光刻、离子注入、CVD、PVD、版图、工艺、芯片、有源区、场区、晶体管、MOS、CMOS、VLSI、特征尺寸、集成度等基本概念。