文档介绍：模拟电子技术模拟试卷
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模拟试卷一
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
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2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
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3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
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4．为提高放大电路输入电阻应引入___反应；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反应。
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5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达_____，但这种功放有______失真。
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6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
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二、选择正确答案填空(24分)
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，- V，那么这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管
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2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管
B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管
D．N沟道耗尽型MOS管
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3．在图示2差分放大电路中，假设uI = 20 mV，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
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B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
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4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大
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5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri
C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri
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6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．30
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7．RC桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A．根本共射放大电路 B．根本共集放大电路
C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路
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8．某电路输入电压和输出电压的波形如下图，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比拟器 D．滞回比拟器
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三、两级放大电路如下图，三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；
2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；
3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
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四、图示运算放大电路中，u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求uO = ？(10分)
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五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如下图，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)
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六、分析图示两个电路的级间反应。答复：(12