文档介绍：第四章 场效应管放大器
绝缘栅场效应管
结型场效应管
场效应管放大电路
效应管放大器的静态偏置
效应管放大器的交流小信号模型
效应管放大电路
场效应管
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场效应管
BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。
场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。
FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。
FET分类：
绝缘栅场效应管
结型场效应管
增强型
耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
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一. 绝缘栅场效应管
绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为：
增强型 N沟道、P沟道
耗尽型 N沟道、P沟道
（1）结构
4个电极：漏极D，
源极S，栅极G和 衬底B。
符号：
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当uGS＞0V时→纵向电场
→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。
（2）工作原理
当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。
再增加uGS→纵向电场↑
→将P区少子电子聚集到
P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。
①栅源电压uGS的控制作用
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定义：
开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的
栅源电压UGS。
N沟道增强型MOS管的基本特性：
uGS ＜ UT，管子截止，
uGS ＞UT，管子导通。
uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。
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②转移特性曲线： iD=f(uGS)uDS=const
可根据输出特性曲线作出移特性曲线。
例：作uDS=10V的一条转移特性曲线：
UT
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一个重要参数——跨导gm：
gm=iD/uGS uDS=const (单位mS)
gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。
在输出特性曲线上也可求出gm。
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特点：
当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。
当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。
当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。
在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
定义：
夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。
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3、P沟道耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET的工作原理与N沟道
MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
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4. MOS管的主要参数
（1）开启电压UT
（2）夹断电压UP
（3）跨导gm ：gm=iD/uGS uDS=const
（4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。
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