文档介绍：二极管基本电路及其分析方法简单二极管电路的图解分析方法二极管电路的简化模型分析方法简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单, 但前提条件是已知二极管的 V -I 特性曲线。例电路如图所示,已知二极管的 V-I 特性曲线、电源 VDD 和电阻R,求二极管两端电压 vD 和流过二极管的电流 iD 。解:由电路的 KVL 方程,可得 R Vi D DD Dv?? DD D D11VRR i???v即是一条斜率为-1/R 的直线,称为负载线 Q的坐标值( VD , ID)即为所求。 Q点称为电路的工作点二极管电路的简化模型分析方法 V-I 特性的建模将指数模型分段线性化,得到二极管特性的等效模型。)1e( DSD?? TVIi v(1)理想模型(a)V-I特性(b)代表符号(c)正向偏置时的电路模型(d)反向偏置时的电路模型二极管电路的简化模型分析方法 V-I 特性的建模(2)恒压降模型(a)V-I特性(b)电路模型(3)折线模型(a)V-I特性(b)电路模型二极管电路的简化模型分析方法 V-I 特性的建模(4)小信号模型 vs =0 时, Q 点称为静态工作点,反映直流时的工作状态。)( 11 s DD D Dvv????VRR i vs =Vmsin ? t 时( Vm<<VDD ), 将Q点附近小范围内的 V-I 特性线性化,得到小信号模型,即以 Q点为切点的一条直线。二极管电路的简化模型分析方法 V-I 特性的建模(4)小信号模型过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 D D di r??? v即)1e( /SD D?? TVIi v根据得Q点处的微变电导 Qig D Ddd dv ? Q VT TV I /S De v? TV I D? d d1g r?则 DI V T?常温下( T=300K ) ) mA ( ) mV (26 DD dII Vr T?? QTV i D?(a)V-I特性(b)电路模型二极管电路的简化模型分析方法 V-I 特性的建模(4)小信号模型特别注意: ?小信号模型中的微变电阻 r d与静态工作点 Q有关。?该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且 v D >> V T。(a)V-I特性(b)电路模型二极管电路的简化模型分析方法 (1)整流电路(a)电路图(b)vs和vo的波形 (2)静态工作情况分析 V0 D?V mA 1/ DD D??RVI理想模型(R =10k ?) 当V DD =10V 时, mA 93 .0/)( D DD D???RVVI恒压模型 D?V(硅二极管典型值) 折线模型 th?V(硅二极管典型值) mA 931 .0 D th DD D????rR VVI ?? Dr设 V69 .0 DD th D???rIVV 当V DD =1V 时, (自看) (a)简单二极管电路(b****惯画法