文档介绍：晶体三极管输入和输出特性
第一页，共26页
特性曲线
IC
mA
A
V
V
UCE
UBE
RB
IB
EC
EB
实验线路
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第二页，共26页
一、输入特性
UCE 1V
IB(A)
UBE(V)
20
40
60
80

工作压降：硅管UBE~,锗管UBE~。
UCE=0V
UCE =
死区电压，，。

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第三页，共26页
3、三极管共射组态的输入特性曲线
BJT的输入特性曲线为一组曲线
ib (μA)
uBE
U（BR）EBO
ICBO＋ICEO
UCE=0
UCE=1
UCE=10
第四页，共26页
iB (μA)
uBE
UCE=0
UCE=1
UCE=10
第五页，共26页
三极管的输入和输出特性
集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。
一、共发射极输入特性曲线
动画三极管的输入特性
第六页，共26页
5．VBE与IB成非线性关系。
由图可见：
1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。
2．当VBE很小时，IB等于零，
三极管处于截止状态；
3．当VBE大于门槛电压（硅管
，）时，
IB逐渐增大，三极管开始导
通。
4．三极管导通后，VBE基本不　变。，锗管　，称为三极管的导　通电压。
共发射极输入特性曲线
第七页，共26页
特性曲线
IC
mA
A
V
V
UCE
UBE
RB
IB
EC
EB
实验线路
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第八页，共26页
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
饱和区

截止区
放大区
有三个区：
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第九页，共26页
三、三极管特性曲线（讲授40分钟）
iB=iB2
iB=iB3
饱和区
击穿区
截止区
临界饱和线
uCE
iC
U（BR）CEO
iB=-ICBO
iB=iB1
iB=iB4
iB=iB5
ib (μA)
uBE
U（BR）EBO
ICBO＋ICEO
UCE=0
UCE=1
UCE=10
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