文档介绍：晶体管的模型
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引言
集成电路可以认为是由元器件组成的。
元件(Element)：如电阻、电容、电感等结构简单，性能可用一个简单方程描述的单元。
器件(Device)：如晶体管一类结构相对复杂，性能要用多个方程才能描述的单元。从某种意义上来说，器件可以由多个元件构成。
元器件可以分为两大类：
无源器件: 包括电阻、电容、电感、互连线、传输线等。
有源器件: 各类晶体管。
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集成电路模拟程序SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis )
SPICE在集成电路的晶体管级模拟方面，成为工业标准的模拟程序。
集成电路设计工程，特别是模拟和模拟数字混合信号集成电路设计工程师必须掌握SPICE的应用。
本章我们将重点给出无源及有源集成元器件的SPICE电路模型和相应的模型参数。
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薄层集成电阻器
集成电路中的电阻分为：
无源电阻
通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻。
有源电阻
将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管的不同的工作区所表现出来的不同的电阻特性来做电阻。
这两种电阻的工作原理、物理结构及器件模型都不相同，下面将分别加以讨论。
在平面工艺集成电路中，无论是有意设计的无源电阻器件，还是无意设计但客观存在的寄生电阻，大都呈薄层形状。
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掺杂多晶硅薄膜是一个很好的电阻材料，广泛应用于硅基集成电路的制造。
同MOS管的栅极同时制作，阻值一般为几十欧姆。
若要较高阻值，要通过增加第二层多晶硅来制作。阻值一般为几百欧姆。
特点：
制作方便，应用广泛
仍有寄生电容
1)多晶硅薄膜电阻
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不同掺杂浓度的半导体具有不同的电阻率，利用掺杂半导体的电阻特性，可以制造电路所需的电阻器。
根据掺杂方式，可分为：扩散电阻和离子注入电阻。
扩散电阻：对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻
可制作P型掺杂电阻、N型掺杂电阻、沟道电阻等
特点：
工艺简单且兼容性好
精度稍差
2)掺杂半导体电阻
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离子注入电阻：对半导体进行离子注入掺杂而构成的电阻。
特点：
阻值容易控制，精度较高
横向扩散小
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在N阱两端用N+漏/源扩散做欧姆接触就形成N阱电阻。
在P阱两端用P+漏/源扩散做欧姆接触就形成P阱电阻。
特点：
阱电阻阻值大，精度差。
3)阱电阻
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采用一些合金材料沉积在二氧化硅或其它介电材料表面，通过光刻形成电阻条。
常用的合金材料有：
钽（Ta)
镍铬（Ni-Cr)
氧化锌SnO2
铬硅氧CrSiO
特点：
较高的精度，公差可达到：%～1%
具有较低的温度系数和较大的电流承载能力
但增加工艺和成本
4)合金薄膜电阻
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