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材料X射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例
例：将剂量为lMl07ions/cm2,能量为45KeV的碳离子注入单晶硅中，然后在1100c 退火2h进行热处理。对单晶硅试样进行XPSM试，试对其中的Cis高分辨扫瞄谱进行解析，以确定各种可能存在的官能团。
分析过程:
1、在Origin中处理数据
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图1
将实验数据用记事本打开，其中 Gs表示的是Cs电子，结合能，-，81表示数据个数。从15842开始表示是光电子强度。从15842以下数据选中Copy到Excel软件B列中，为光电子强度数据列。，并按照步长及个数生成结合能数据，见图2
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将生成的数据导入Origin软件中，见图3
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图3
此时以结合能作为横坐标，光电子强度作为纵坐标，绘出 Gs谱图，检查谱
图是否有尖峰，如果有，那是脉冲，应把它们去掉，方法为点 Origin软件中的 Data-Move Data Points ,然后按键盘上的J或箭头去除脉冲。本例中的实验数据没有脉冲，无需进行此项工作。将 column A和B中的值复制到一空的记事本文档中(即成两列的格式，左边为结合能，右边为峰强)，并存盘，见图 4。
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2、打开XPSPeak,引入数据：点Data--Import (ASCII),引入所存数据，则
出现相应的XPS谱图，见图5、图6
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