文档介绍：电子科技大学微电子与固体电子学院
集成电路原理与设计
CMOS模拟集成电路设计与仿真
电子科技大学
实验报告
实验地点：211楼606 实验时间：
一、实验室名称：微电子技术实验室
二、实验项目名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真
三、实验学时：4
四、实验原理
参照实验指导书。
五、实验目的
本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置，为IC设计性实验。其目的在于：
· 根据实验任务要求，综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计，掌握基本的IC设计技巧。
· 学****并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法，并进行电路的模拟仿真。
六、实验内容
UNIX操作系统常用命令的使用，Cadence EDA仿真环境的调用。
2、设计一个运算放大器电路，要求其增益大于40dB, 相位裕度大于60º，功耗小于10mW。
3、根据设计指标要求，选取、确定适合的电路结构，并进行计算分析。
4、电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC分析、瞬态Trans分析、建立时间小信号特性和压摆率大信号分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法。
5、电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。
6、整理仿真数据与曲线图表，撰写并提交实验报告。
七、实验仪器设备
（1）工作站或微机终端一台
（2）局域网
（3）EDA仿真软件 1套
八、实验步骤
1、根据实验指导书熟悉UNIX操作系统常用命令的使用，掌握Cadence EDA仿真环境的调用。
2、根据设计指标要求，设计出如下图所示的电路结构。并进行计算分析，确定其中各器件的参数。
电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC分析、瞬态Trans分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法。
电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。
具体计算步骤如下：（参见模拟CMOS集成电路设计）
通过额定功耗和片外电容C计算偏置电路电流以及流进M6，M8电流，再通过相关试验得到相关pmos，nmos的Vth和k和λ，得到m6，m8，m9宽长比并计算密勒电容Cc
通过cmr计算m4和m0的宽长比
通过GB和Cc求出m2和m5宽长比
由m6，m8的Ids电流计算m7宽长比
进行电路仿真，观察电路是否符合各方面要求。
由相关参数进行修改宽长比及Cc。
九、实验数据及结果分析：
通过本次实验掌握了UNIX操作系统常用命令的使用，Cadence EDA仿真环境的调用。达到了实验目的。