文档介绍：填空题（每空1分，共20分）
由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是_ J■生。稳压管
的稳压区是稳压管的_ —区。
晶体三极管放大电路有三种基本组态，分别是一 _、_ _、_ _0
直流稳压电源的主要组成部分是— _、_ —、滤波器、
乙类推挽放大器的主要失真是— —，要消除此失真，应改
用_ _类推挽放大器。
共射一共基组合电路中，由于共射电路的上限频率一—共基电路的上
限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于一 _电路。
差动放大电路的四种接
法、、
7.
电感滤波电路外特性
电容滤波电路外特性比较一 适应于—_电流;
比较硬，适应于大电流。
二、
1.
2.
3.
选择题（每题2分，共20分） 为稳定输了电压，应采用（ ）负反馈
A电流 B电压 C串联
场效应管起放大作用时应工作在转移特性的（ A非饱和区 B饱和区 C截止区
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是
D并联
）
D击穿区
）
A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性
C晶体管参数受温度影响 D受输入信号变化的影响
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）
A前者反偏、后者正偏 B前者正偏、后者正偏
C前者正偏、后者反偏 D前者反偏、后者反偏
互补输出级采用射极输出方式是为了使（ ）
A电压放大倍数高B输出电流小 C输出电阻增大 D带负载能 力强
二极管作理想模型时，认为二极管导通时正向（ ）为零
A电压 B电流 C电感 D电荷
放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）
A耦合电容和旁路电容的影响 B晶体管极间电容和分布电容
的影响
C晶体管的非线性特性 不合适
D放大电路的静态工作点设置
运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的（ ）
A放大倍数越稳定 B交流放大倍数越大
C抑制温漂能力越强 D直流放大倍数越大
当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）
A增大 B减小 C不变 D不确定
图示电路中，当交流电源Vs为正半周时，四个二极管的工作状态为
（ ）
A、00导通，Q以截止B、导通，也化截止
C、00截止，已化导通D、卬3截止，也化导通
D1
D3
管脚：①②③.
管脚：①②③.
三、分析题（10分）
三极管工作在放大状态时，测得二只晶体管的直流电位如图所示。其中硅管 ,,试判断各管子的管脚、管型（NPN型或PNP 型）。
IV L7V
①⑤③
管型:
管型:
四、计算题（共10分）
如图所示电路中，B=100, Ubeq=,试计算:
（1）放大电路的静态工作点（4分）
（2）求电压放大倍数&、输入电阻*，和输出电阻（6分）
（1）（4 分）
上=立 + (1 + ”)尹=100 + (1 + 100)普=
EQ
A 一麽C〃& …
Au = L = -115
he
& &2〃％n%=L3g R°=Rc=3KG
五、计算题(10分)
如图示放大电路，已知 Vcc=Vee=10V, Rci=Rc2=47KQ , Re=10KQ , Rbi=
Q , Rb2= , Ri=R2=10KQ