文档介绍：集成电路芯片封装工艺流程
芯片封装技术工艺流程
硅片减薄
硅片切割
芯片贴装
芯片互连
成型技术
去飞边毛刺
切筋成型
上锡焊
打码
芯片切割
为何减薄？
尺寸变大变厚切割划片困难
以TSOP为例：总厚900μm 有效厚300μ m
反面减薄技术：
研磨，化学机械抛光CMP，干式抛光，
电化学腐蚀(Electrochemical Etching)
湿法腐蚀，等离子腐蚀
有损坏，工艺改进：DBG(Dicing Before Grinding)先划片后减薄
DBT(Dincing By Thinning)减薄划片
优点：防止硅片翘曲，划片引起的边缘损害
芯片贴装
共晶贴装法：金69%-硅31%共晶，363度反响
多用于陶瓷封装，在氮气中进行
预型片：1/3芯片面积
缺点：高温，芯片框架热碰撞系数失配
焊接贴装法：芯片-金，焊盘淀积Au-Pd-Ag,焊料Pb-Sn
优点：热传导性好，适合高功率器件封装
焊料：硬质焊料：金硅，金锡
软质焊料：铅锡
共同点：都是利用合金反响
导电胶贴装法:导电胶含银的高分子聚合物，有良好的
导热导电性能的环氧树脂，
75％－80％银，目的是散热
多用于塑料封装工艺
固化：150度，1小时；186度，半小时
玻璃胶贴装法：玻璃胶是低本钱芯片粘贴材料
冷却降温注意速度
优点：无空隙，热稳定好，低结合应力
缺点：胶中有机成分和溶剂要去除
多用于陶瓷封装，玻璃胶在特殊处理的铜合金
引脚架上才能键合
芯片互连
芯片互连：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O
引线或基板上的金属布线区相连
常见的方法：打线键合WB(Wire Bonding)
载带自动键合TAB(Tape Automated Bonding)
倒装芯片键合FCB(Flip Chip Bonding) C4
WB:4<n<257 n为I/O数
TAB:10<n<600
FCB:5<n<16000
打线键合技术
超声波键合：20－60kHz,振幅20－200μm超声波
铝线和金线是常见材料
优点：温度低，键合尺寸小，适合键合点间
距小，密度高的芯片连接
缺点：必须沿金属线缭绕方向排列
热压键合：预热300－400度，电子点火，
金线多用，铝线不易成球
热超声波键合：基板维持100－150度，结合工具不加热
优点；抑制接触处金属化合物反响，变形
热压键合
热超声波键合