文档介绍：实验报告---半导体PN结的物理特征及弱电流丈量(精)
实验报告---半导体PN结的物理特征及弱电流丈量(精)
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实验报告---半导体PN结的物理特征及弱电流丈量(精)
成都信息工程学院
物理实验报告
姓名：
实验日期：
石旭日 2009-9-15
专业：
下午
实验教室：
班级：
5102-1
学号：
指导教师：
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【实验名称】 PN结物理特征综合实验
【实验目的】
在室温时，丈量 PN结电流与电压关系，证明此关系切合波耳兹曼散布规律
在不一样温度条件下，丈量玻尔兹曼常数
学惯用运算放大器构成电流 - 电压变换器丈量弱电流
丈量 PN结电压与温度关系，求出该PN结温度传感器的敏捷度
计算在 0K 温度时，半导体硅资料的近似禁带宽度
【实验仪器】
半导体 PN结的物理特征实验仪 财产编号：××××，型号：×××（一定填写）
【实验原理】
1． PN结的伏安特征及玻尔兹曼常数丈量
PN结的正向电流 - 电压关系知足：
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I
I 0 [exp(eU / kT )
1]
(1)
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当 exp eU / kT
1时 ,(1)
式括号内
-1 项完整能够忽视，于是有：
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I
I 0
exp(eU / kT )
(2)
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也即 PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。若测得
PN结 I
U
关系值，则利用
(1) 式能够求出
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e/ kT