文档介绍：学号
密级
成吠孽
硕士学位论文
非易失性纳米晶存储技术研究
姓名刘宁
学科专业电路与系统
研究方向微电子器件建模与模拟
陈军宁教授
指导教师
代月花教授
完成时间年月
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的
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学位论文作者签名科宁导师签名衬风犯
签字日期如年丁月匹日签字日期夕。年左月对日
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摘要
摘要
自从存储的概念被提出以后 , 存储器一直在非易失性半导体存
储器市场上处于主流地位 , 现在已经占据了以上的非易失性半导体存储器市
场。虽然存储器在商业应用己经获得巨大成功, 浮栅器件作为闪存的二流
技术, 随着特征尺寸的不断减小, 目前主流的硅基浮栅存储器随工艺技术拓展遇
到严重的技术瓶颈, 无法满足信息技术迅速发展对超高密度存储的要求。最主要
的是器件结构尺寸持续缩小的潜力受限。同时对速度、功耗、可靠性等存储性能
也提出了更高要求。工业界和学术界对下一代非挥发性半导体存储器技术的研
发, 主要体现为两种趋势。一是尽可能将目前的技术向更高技术代推进。
另一个趋势就是在技术达到物理极限无法继续推进后 , 采用完全不同的
新技术和新存储原理。本文从改进型方案入手 , 研究了纳米晶浮栅结构的非易失
性存储技术。
对纳米晶浮栅结构非易失性存储器的研究中, 本文从器件结构和能带的角度
出发分析了提高存储器件性能的可能途径。建立了纳米晶浮栅结构的电荷保持模
型,