1 / 38
文档名称:

国家大基金二期投资侧重半导体设备、材料领域加码晶圆制造助力国产化替代.docx

格式:docx   大小:1,826KB   页数:38页
下载后只包含 1 个 DOCX 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

国家大基金二期投资侧重半导体设备、材料领域加码晶圆制造助力国产化替代.docx

上传人:琥珀 2021/12/1 文件大小:1.78 MB

下载得到文件列表

国家大基金二期投资侧重半导体设备、材料领域加码晶圆制造助力国产化替代.docx

相关文档

文档介绍

文档介绍:投资策略点评
7 / 44
敬请参阅最后一页免责声明
证券研究报告
中观事件重点关注:国家大基金二期侧重制造环节 助力高
性能芯片制造国产化
国家大基金二期投资重心转向制造环节
2019 年,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司注册成立,注册资本高达
亿元。大基金二期的投资覆盖了集成电路设计、芯片制造、封装测试、材料以及设备制造等产业链环节,但与一期相比,投资重点较多投向了制造环节,更聚焦设备、材料领域,并加码晶圆制造。
表1:国家大基金二期投资的主要领域
设备制造
材料领域
晶圆制造
集成电路设计
集成电路芯片制造
封装测试
北方华创
南大光电
中芯国际
润西微电子
润西微电子
华润微电子
长川科技
万盛股份
中芯京城集成电路
制造
思特威
中芯南方集成电路制造
天水华天科技
中微公司
雅克科技
华润微电子
珠海艾派克微电子
紫光展锐
中芯京城集成电路制造
至纯科技
巨化股份
紫光展锐
广州慧智微电子
江苏长电科技
睿力集成
嘉兴斯达半导体
天水华天科技
格科微电子
上扬软件
深圳佰维存储
天水华天科技
华润微电子
资料来源:Wind,
半导体上游设备领域获支持
大基金二期对刻蚀机、薄膜设备、测试设备和清洗设备等领域已有布局的企业保持高度关注和持续支持,推动龙头企业做大做强。就工艺而言,清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节,每一代制程升级将带来平均 15%的清洗步骤增长,重要性凸显。大基金二期投资的至纯科技,主要生产 8-12 寸高阶单晶圆湿法清洗设备和槽式湿法清洗设备的相关技术,目前已可以提供 28nm 节点的全部湿法工艺设备。除该公司外,“国家大基金”二期在设备领域方面还投资了北方华创、长川科技、中微公司,以保障产业链安全。
大基金二期持续加码晶圆制造
半导体设备和材料领域是我国半导体行业的一个短板,尤其是在芯片紧缺的当下。中国的芯片制造工艺、能力和技术团队与美日韩还存在较大差距,高端芯片的核心制造设备受制于人。设备和材料处于半导体行业的最上游,一旦受限将会对行业产生巨大影响。
2021 年 11 月 12 日中芯国际公告显示,中芯控股、大基金二期和海临微各自出资
亿美元、 亿美元和 亿美元,成立临港合资公司,规划建设产能为10 万片/月的 12 英寸晶圆代工生产线项目,聚焦提供 28 纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。成立临港合资公司将满足不断增长的市场和客户需求
并有助于公司扩大生产规模,降低生产成本,提升晶圆代工服务,从而推动公司的可持续发展。
除中芯国际以外,“国家大基金”二期还投资了中芯京城集成电路制造、至纯科技,以保障晶圆制造产业的快速发展。
图1:大基金二期涉及芯片制造工艺流程及生产企业
资料来源:Wind,
投资策略点评
8 / 44
敬请参阅最后一页免责声明
证券研究报告
大基金二期投资斯达半导:新能源汽车浪潮推动 IGBT 芯片发展
11 月 15 日,斯达半导公布的定增名单中出现国家先进制造业投资基金二期,投入资金 3 亿元。斯达半导是国内 IGBT 头部企业。根据斯达半导 9 月发布的公告,公司拟募集资金用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC 芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目。IGBT 作为一种功率半导体器件, 在新能源汽车、智能电网领域有广泛应用。
功率器件及 IGBT 基本介绍
用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。按照电力电子器件能被控制电路信号所控制的程度分类,可分为:全控型、半控型和不可控器件;按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类,可分为:电压驱动型和电流驱动型器件;按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类,可分为:双极型、单极型和复合型器件。
功率器件的应用领域几乎包括所有的电子制造业:如计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业 PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。
图2:电力电子器件分类
资料来源:Wind,
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管,是电力电子器件中的一种。IGBT 是由 BJT(双极型三极