COMSIC制造工艺流程.pptx

文档介绍：第七章 COMS IC 制造(zhìzào)工艺流程
主要内容
1. 典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图；
2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的(mùdì)；
4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺。
Figure 7 -
第一页，共31页。
CMOS工艺流程中的主要制造(zhìzào)步骤
Oxidation
(Field oxide)
Silicon substrate
Silicon dioxide
oxygen
Photoresist
Develop
oxide
Photoresist
Coating
photoresist
Mask-Wafer
Alignment and Exposure
Mask
UV light
Exposed
Photoresist
exposed
photoresist
G
S
D
Active Regions
top nitride
S
D
G
silicon nitride
Nitride
Deposition
Contact
holes
S
D
G
Contact
Etch
Ion Implantation
resist
ox
D
G
Scanning ion beam
S
Metal Deposition and Etch
drain
S
D
G
Metal
contacts
Polysilicon
Deposition
polysilicon
Silane gas
Dopant gas
Oxidation
(Gate oxide)
gate oxide
oxygen
Photoresist
Strip
oxide
RF Power
Ionized oxygen gas
Oxide
Etch
photoresist
oxide
RF Power
Ionized CF4 gas
Polysilicon
Mask and Etch
RF Power
oxide
Ionized CCl4 gas
poly gate
RF Power
Figure 7 -
第二页，共31页。
1. 双井工艺(gōngyì)
2. 浅槽隔离工艺(gōngyì)
3. 多晶硅栅结构工艺(gōngyì)
4. 轻掺杂漏(LDD)注入工艺(gōngyì)
5. 侧墙的形成
6. 源/漏（S/D）注入工艺(gōngyì)
7. 接触孔的形成
8. 局部互连工艺(gōngyì)
9. 通孔1和金属塞1的形成
10. 金属1互连的形成
11. 通孔2和金属2的形成
12. 金属2互连的形成
13. 制作金属3、压点及合金