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半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、UO1≈ UO2＝0 UO3≈－ UO4≈2V UO5≈ UO6≈－2V
四、UO1＝6V UO2＝5V
五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、
UO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝，所以
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。<br****题
（1）A C （2）A （3）C （4）A
。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，。
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。
。
。
＝（V－UD）/R＝，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
（1）、、。
（2）。
IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝～。
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（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
（1）S闭合。
（2）
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
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管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为
当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为
取UCES＝UBE，若管子饱和，则
当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝。因为
（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能
根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上
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uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
第二章 基本放大电路
自测题
一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）×
二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。因为T截止。
三、（1）
（2）
四、（1）A （2）C （3）B （4）B
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五、（1）C，D E （2）B （3）A