ZnSe薄膜用作太阳电池窗口层及其简介.pptx

文档介绍：ZnSe薄膜用作太阳电池窗口(chuāngkǒu)层及其简介
刘晓兰
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ZnSe性质(xìngzhì)简介
ZnSe薄膜的相关文献报道
脉冲激光沉积法制备ZnSe薄膜
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ZnSe是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体，室温下为闪锌矿结构，高温下为六方纤锌矿结构。,具有较宽的透光范围(-22μm），较高的发光效率和较低的吸收系数，可以允许更多的光透过(tòu ɡuò)而不被吸收。ZnSe在湿空气中易被氧化。
ZnSe比CdS窗口层具有更大的优点,它不含Cd,能减少对环境的污染, 而且ZnSe的禁带宽度比CdS( 2 4eV) 大, 使得能量比CdS禁带宽度大的光子仍然可以通过,有利于提高太阳能电池的光电性能。
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ZnSe薄膜的制备(zhìbèi)技术
化学浴沉积法(CBD)
化学气相沉积法(CVD)
电沉积法(ECD)
分子束外延(wàiyán)生长法(MBE)
光化学沉积法(PCD)
脉冲激光沉积法(PLD)等
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ZnSe能带结构图：
-~-:价带
0eV以上(yǐshàng): 导带
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ZnSe可单独用作太阳电池窗口层,也可与其他材料堆叠形成复合窗口层,或者在ZnSe中进行元素(yuán sù)掺杂
ZnS/ZnSe ZnSe:Te
ZnS:Al/ZnSe ZnSe:N
ZnSe/CdSe ZnSe:Al
CrSe/ZnSe等 ZnSe:Mn
ZnSe:Cu等
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相关文献(wénxiàn)报导
不同衬底温度(wēndù)下制备的ZnSe薄膜的XRD图
不同衬底温度(wēndù)制备的ZnSe薄膜的光透过图
一、
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ZnSe在不同(bù tónɡ)衬底温度下的禁带宽度
第八页，共20页。
不同(bù tónɡ)Al含量的ZnSe薄膜的XRD图
不同Al含量(hánliàng)的ZnSe薄膜的光透过图
第九页，共20页。
不同(bù tónɡ)Al含量的ZnSe薄膜的禁带宽度
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