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文档介绍

文档介绍:在传统单结太阳电池的设计上,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。也就是说,~。
这些单结的太阳电池材料的理论效率都在30%以下。
第一页,共17页。
由于单结太阳电池只能吸收和转换特定光谱范围的太阳光,因此能量转换效率不高。
多结太阳能电池,按带隙宽度大小从上至下叠合起来,选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,就能大幅度提高电池的转换效率。
多结太阳电池的设计
1、GaAs太阳电池的结构
多结太阳能电池可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池转换效率。
多结太阳能电池,越上层的电池带隙越大。
第二页,共17页。
第三页,共17页。
1、GaAs太阳电池的结构
单结GaAs/Ge太阳电池
为了克服GaAs/GaAs太阳电池机械强度较差、易碎的缺点,1983年起逐步采用Ge替代GaAs制备为衬底。
第四页,共17页。
1、GaAs太阳电池的结构
多结GaAs/Ge太阳电池
讨论分析
1、带隙排列?
2、为什么制备多结?
第五页,共17页。
1、GaAs太阳电池的结构
多结GaAs/Ge太阳电池
多结GaAs电池,按带隙宽度大小叠合,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高光电转换。
理论计算表明:双结GaAs太阳电池的极限效率为30%,三结GaAs太阳电池的极限效率为38%,四结GaAs太阳电池的极限效率为41%。
第六页,共17页。
小结
单结太阳电池,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。
多结太阳能电池,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池的转换效率。
多结太阳能电池中,越上层的电池带隙越大。
多结太阳能电池中,越下层的电池带隙越小。
第七页,共17页。
LPE是NELSON在1963年提出的一种外延生长技术。其原理是以低熔点的金属(如Ga 、In 等)为溶剂,以待生长材料(如GaAs、Al 等) 和掺杂剂(如Zn、Te 、Sn 等)为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态,通过降温冷却使溶质从溶剂中析出,结晶在衬底上,实现晶体的外延生长。
2、GaAs太阳电池两种制造技术
LPE(liquid phase epitaxy)技术——液相外延
第八页,共17页。
LPE技术优缺点:
优点:
缺点:
LPE 设备成本较低,技术较为简单,可用于单结GaAs/ GaAs 太阳电池的批量生产。
异质界面生长无法进行、多层复杂结构的生长难以实现,外延层参数难以精确控制,这限制了GaAs 太阳电池性能的进一步提高。
20世纪90年代初,国外已基本不再发展该技术,但欧、俄、日等地区和国家仍保留LPE 设备,用于研制小卫星电源。
第九页,共17页。
MOCVD是MANASEVIT在1968年提出的一种制备化合物半导体薄层单晶的方法。
其原理是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物Ga(CH3)3、Al(CH3)3、Zn(C2H5)2等和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物(PH3、AsH3、H2Se) 等作为晶体生长的源材料,以热分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生长Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元、四元化合物半导体薄膜单晶。
MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)技术
——金属有机化学气相外延
2、GaAs太阳电池两种制造技术
第十页,共17页。

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