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LTspice
变压器仿真的简单步骤：
为每个变压器绕组绘制一个电感器
采用一个互感(K)描述语句通过一条SPICE指令对其实施耦合：
K1L1L21
K语句的最后一项为哪一项耦合系数，其变化范围介于
0 和
1
之间，1
代表没有漏电感。对于实际
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电路，建议您采用耦合系数
=1
作为起点。
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每个变压器只需要一个 K语句；LTspice
数。下面所列是上述语句的等效语句 :
为一个变压器内部的所有电感器应用了单一耦合系
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K1L1L21
K2L2L31
K3L1L31
C. 采用“移动”(F7)、“旋转”(Ctrl+ R) 和“镜像”(Ctrl+E) 命令来调 节电感器位
置以与变压器的极性相匹配。增添 K语句可显示所含电感 器的调相点。
LTspice采用个别组件值(在本场合中为个别电感器的电感)而非变压器的匝数比进行变压器的仿真。电感比与匝数比的对应关系如下：
电感至匝数比
比方：对于1:3和1:2的匝数比，输入电感值以产生1:9
和1:4的比值：
2.
一般来说压是对地，如果你想知某元件俩端的电压该怎样呢
设一参照点，先点小人，然后在电路图
的空白处点右键，找黑白电笔Setprobe
reference
，也可从VIEW找。按键盘上ESC可去黑白电笔。
3.
DieImpulsantwort
脉冲响应。
4.
TocreateanLTspice
modelofagiven
MOSFET,youneedtheoriginaldatasheetandthepSPICE
modelofthatMOSFET.
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TheparametersneededtodefineaMOSFETinLTspiceareasfollows:
Rg
Gateohmicresistance
Rd
Drainohmicresistance
(this
isNOTthe
RDSon,buttheresistanceofthe
bondwire)
Rs
Sourceohmicresistance.
Vto
Zero-biasthresholdvoltage.
Kp–
Transconductancecoefficient
Lambda
ChangeindraincurrentwithVds
Cgdmax
Maximumgatetodraincapacitance.
Cgdmin
Minimumgatetodraincapacitance.
Cgs
Gatetosourc