文档介绍：国家标准《电子工厂洁净厂房设计规范》中强制性条文 GB 50472-2008 陈陈霖霖新新中国电子工程设计院中国电子工程设计院 2009 2009 年年07 07月月 1、电子工厂洁净厂房特点 2、章节内容简介 3、强制性条文等介绍 4、结语 1、电子工厂洁净厂房特点?电子产品生产发展迅猛 IC特征尺寸 μm,12 〞~16 〞,64G TFT 第六代产品?对化学污染物的严格要求?大面积、大体量、组合式、多层洁净厂房?投资大、能量消耗大 1、电子工厂洁净厂房特点年份 1995 1997 - 1998 1999 - 2001 2003 - 2004 2006 - 2007 2009 - 2010 DRAM 集成度 64M 256M 1G 4G 16G 64G 纯度(μ m) - 硅片直径(mm) 200 200 300 300 400 - 450 400 - 450 受控粒子尺寸(μ m) 粒子数(栅清洗)(个/m 2) 1400 950 500 250 200 150 重金属(Fe) (原子/cm 2) 5× 10 10 × 10 101× 10 105× 10 9 × 10 9 < × 10 9 有机物(C)( 原子/cm 2) 1× 10 145× 10 133× 10 131× 10 135× 10 123× 10 12 集成电路对化学污染物的控制指标电子工厂洁净厂房的特点: ?微粒控制十分严格、要求控制 μm甚至更小粒径 I SO1 级或更严格。?高纯物质,包括高纯水、高纯气体高纯化学品的供应、输送。?对微振控制十分严格、需制定切实可行的规定?对防静电、电磁兼容等?大体量、多层单向流洁净室,二层/三层布置数万 m 2。 1、电子工厂洁净厂房特点 1、电子工厂洁净厂房特点 8000 200 (8") 生产运行新加坡芯片厂 17 6500 200 (8") 生产运行法国芯片厂 16 7900 200 (8") 生产运行台湾芯片厂 15 8740 300 (12" ) 生产运行磁力芯片厂 14 12183 300 (12" ) 生产运行爱尔兰芯片厂 13 13857 300 (12" ) 生产运行美国芯片厂 12 15810 200 (8") 生产运行美国芯片厂 11 15810 200 (8") 生产运行美国芯片厂 10 8892 200 (8") 生产运行爱尔兰芯片厂 9 10000 200 (8") 生产运行韩国芯片厂 8 10000 200 (8") 生产运行韩国芯片厂 7 10000 200 (8") 生产运行韩国芯片厂 6 10000 200 (8") 生产运行韩国芯片厂 5 9000 300 (12" ) 生产运行台湾芯片厂 4 9000 300 (12" ) 生产运行台湾芯片厂 3 14000 300/200 (12"/8" ) 生产运行台湾芯片厂 2 8700 200 (8") 生产运行大陆芯片厂 1 建筑高度洁净生产区面积(㎡) 规格(㎜) 状况位置项目表1 国内外一些微电子洁净厂房的高度和洁净生产区面积 1、电子工厂洁净厂房特点 ~90000 8代, 2160 ×2460 生产运行日本 TFT-LCD/8 ~27 ~36000 6代, 1500 ×1800 正筹建北京 TFT-LCD/7 ~27 ~34000 6代, 1500 ×1800 正筹建上海 TFT-LCD/6 ~27 ~36000 6代, 1500 ×1800 生产运行台湾 TFT-LCD/5 ~33000 5代, 1100 ×1300 正在建设深圳 TFT-LCD/4 ~3000 5代, 1100 ×1300 试生产昆山 TFT-LCD/3 22000 +14000 5代, 1100 ×1300 生产运行上海 TFT-LCD/2 28000 5代, 1100 ×1300 生产运行北京 TFT-LCD/1 19 5160 150 (6") 生产运行浙江芯片厂 24 28 1500 200 (8") 建设中重庆芯片厂 23 12000 200 (8") 生产运行苏州芯片厂 22 10321 200 (8") 生产运行上海芯片厂 21 21 200 (8") 生产运行成都芯片厂 20 3